我國充電樁核心芯片成功量產(chǎn) 可用于LED照明領(lǐng)域

　　一塊手機(jī)SIM卡大小的芯片，卻能承載超過700伏的電壓，導(dǎo)通電阻僅有30毫歐，實(shí)現(xiàn)高效低耗的電能轉(zhuǎn)換。這就是新能源汽車充電樁的“心臟”MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管)。近日，記者從蘇州東微半導(dǎo)體公司了解到，新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片已成功量產(chǎn)，打破國外廠商壟斷。

　　近年來，國內(nèi)新能源汽車發(fā)展迅猛，俗稱“快充”的直流充電樁已經(jīng)遍布高速公路、停車場(chǎng)。直流充電樁一般由通信模塊、開關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開關(guān)電源模塊中最核心的部分，是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換，確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件。

　　“交流電進(jìn)入電樁后，MOSFET通過控制芯片來控制電流通斷，形成脈沖電流，再通過電感耦合轉(zhuǎn)換為新能源汽車需要的直流電源。”東微半導(dǎo)體的總經(jīng)理龔軼介紹。

　　MOSFET的成本占整個(gè)開關(guān)電源模塊成本的20%左右。在一個(gè)開關(guān)電源模塊中，需要用到幾個(gè)甚至近百個(gè)MOSFET。過去，這一領(lǐng)域被國外廠商壟斷，國內(nèi)廠家大量采購進(jìn)口品牌的MOSFET，不僅價(jià)格高昂，還經(jīng)常缺貨。

　　東微半導(dǎo)體經(jīng)過兩年的研發(fā)，原創(chuàng)了全套專利技術(shù)，目前已實(shí)現(xiàn)充電樁用高壓高速M(fèi)OSFET系列產(chǎn)品量產(chǎn)，在國內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用。同時(shí)，該產(chǎn)品還出口到韓國、日本和德國市場(chǎng)。同時(shí)，還廣泛應(yīng)用在手機(jī)充電器、LED照明，顯示器、工業(yè)照明等電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

　　“相較于國際品牌，我們研發(fā)的MOSFET，電源開關(guān)時(shí)的電損耗更低，電流轉(zhuǎn)換效率更高，長(zhǎng)期在戶外使用更加可靠，價(jià)格也低了10%—20%。”龔軼說。