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          傳三星PK臺積電 修正晶元代工戰(zhàn)略

          作者: 時間:2016-06-28 來源:電子發(fā)燒友 收藏

            量產(chǎn)10nm級DRAM芯片

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201606/293244.htm

            根據(jù)日經(jīng)技術(shù)在線對的報道,我們看到2016年開始,DRAM采用10nm級工藝的工作一直在推動中,并且展示出了新產(chǎn)品和新工藝。

            2016年4月5日,韓國三星電子宣布,開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。

            此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發(fā)了自主設(shè)計的新存儲單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(QuadruplePatterningTechnology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1y)工藝的開發(fā)。

            新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度,較現(xiàn)有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%,而耗電量削減了10~20%。三星預(yù)定在不久的將來開發(fā)采用此次的10nm級工藝的移動DRAM。

            該公司還將采用以此次的8Gbit產(chǎn)品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產(chǎn)存儲器模塊(內(nèi)存條)。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊,面向企業(yè)服務(wù)器推出128GB的模塊。之前采用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內(nèi)存將在2016年內(nèi)陸續(xù)換成10nm級產(chǎn)品。

            6月7日,三星電子與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會議上公開了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會議與第53屆設(shè)計自動化大會(53rdDesignAutomationConference,DAC2016,2016年6月5日~10日舉行)同在美國奧斯汀舉行。

            會議的主題是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。來自三星的演講嘉賓是FoundryMarketingSamsungSSI的高級總監(jiān)KelvinLow。KelvinLow主要圍繞10nm工藝發(fā)表了演講,同時還介紹了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工藝。

            從此次公布的路線圖來看,三星在10nm方面將首先推出“10LPE”,然后再推出“10LPP”。關(guān)于10LPE,2014年該公司公開了PDK(ProcessDesignKit,工藝設(shè)計套件),2015年完善了設(shè)計流程及LibraryIP。進入2016年之后,開始進行風(fēng)險量產(chǎn)。后來,該公司又公開了10LPP的PDK。并打算在2016年內(nèi)完善10LPP的設(shè)計流程及LibraryIP,并于2016年底開始進行10LPP的風(fēng)險量產(chǎn)。10nm的正式量產(chǎn)將從2017年早些時候開始。另外,據(jù)KelvinLow介紹,10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍,芯片面積縮小至68%,10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍,芯片面積縮小至68%。

            KelvinLow還表示,10nm工藝時代將會持續(xù)很長時間。之后,將會在短時期內(nèi)采用液浸ArF7nm工藝生產(chǎn)。“就像平面型22nm是過渡至FinFET14nm的中間工藝那樣,二者十分相似”。液浸ArF7nm之后,將會迎來真正的7nm時代。真正的7nm工藝將使用EUV(ExtremeUltraviolet)曝光技術(shù)。EUV7nm工藝可將液浸ArF7nm工藝使用的約80枚掩膜減少至60枚左右。另外,關(guān)于兩種7nm工藝,此次的路線圖并未給出明確的時間。

            2016年全球半導(dǎo)體需求下滑競爭加劇

            Gartner預(yù)測,2016年全球半導(dǎo)體營收將達3,330億美元,較2015年減少0.6%。這已是連續(xù)第二年下滑,2015年主要電子設(shè)備需求疲軟、庫存水準(zhǔn)升高加上強勢美元持續(xù)為部分地區(qū)帶來沖擊,全球半導(dǎo)體營收已出現(xiàn)2.3%跌幅。Gartner研究總監(jiān)JamesHines表示:“全球半導(dǎo)體市場預(yù)期將出現(xiàn)史上第二次營收連續(xù)兩年下滑的紀(jì)錄。由于半導(dǎo)體業(yè)仍在等待下一波足以帶動需求的動能出現(xiàn),我們預(yù)料2016年市場將下滑0.6%。”

            個人電腦(PC)、Ultramobile與智慧手機產(chǎn)業(yè)紛紛下調(diào)產(chǎn)量預(yù)估值,2016年半導(dǎo)體需求也因此萎縮,且短期內(nèi)似乎看不到明顯動能足以抵銷這幾個半導(dǎo)體關(guān)鍵市場里需求下滑的頹勢。盡管物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與穿戴式電子產(chǎn)品等領(lǐng)域逐漸看到半導(dǎo)體商機,但相關(guān)市場仍處于開發(fā)初期,規(guī)模太小不足以對2015年整體半導(dǎo)體營收成長造成明顯影響。相信,隨著市場需求下滑,、三星和其他半導(dǎo)體廠商之間的競爭會日趨激烈。


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