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          瑞薩和臺積電合作開發(fā)自動駕駛汽車用MCU
          
						
          
				作者：
				時間：2016-09-05
				來源：技術(shù)在線

				
				
				
				
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          　　瑞薩電子和臺積電(TSMC)于2016年9月1日宣布，將以新一代環(huán)保汽車及自動駕駛汽車為對象，合作開發(fā)采用28nm工藝的MCU。該28nm車載用MCU計(jì)劃2017年開始樣品供貨，2020年開始由臺積電實(shí)施量產(chǎn)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201609/296470.htm

          　　在90nm以后工藝方面，兩公司在委托制造以及內(nèi)置閃存的MCU的開發(fā)方面建立了緊密的合作關(guān)系。從4年前開始在40nm工藝的MCU平臺方面開展共同開發(fā)及委托制造的合作(本站報(bào)道)，此次雙方將把合作范圍擴(kuò)大至28nm工藝MCU的共同開發(fā)。
          

          　　在此次合作中，雙方將把瑞薩的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)構(gòu)造的混載閃存技術(shù)與臺積電的28nm High-K金屬柵極技術(shù)相融合，開發(fā)全球首例28nm MCU。該MCU適用于廣泛的車載應(yīng)用程序，可覆蓋以自動駕駛為對象的傳感器控制、整合化的ECU、以新一代環(huán)保車為對象的高環(huán)保性低燃耗發(fā)動機(jī)，以及用于電動汽車的高效率電機(jī)逆變器等領(lǐng)域。
          

          　　該28nm MCU與瑞薩現(xiàn)行的40nm MCU相比，可實(shí)現(xiàn)最大約4倍以上的程序存儲容量和4倍以上的高性能，能夠滿足新一代車載應(yīng)用方面的多種要求。比如，通過配備大容量閃存，不僅可極為細(xì)致地符合各國的環(huán)保規(guī)定及性能指標(biāo)要求，而且還可支持以無線方式向安全性更高的控制程序?qū)嵤└碌募夹g(shù)(Over The Air: OTA)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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