MRAM的黃金時代即將來臨？

　　MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。

　　STT執(zhí)行長Barry Hoberman接受EE Times訪問時表示，位于該公司總部的研發(fā)晶圓廠在其技術(shù)商業(yè)化過程中扮演了關(guān)鍵角色，而從今年初開始，STT已經(jīng)達(dá)到了可處理超過40晶圓批次(wafer lots)的能力;他指出，為了最佳化開發(fā)周期：“我們已經(jīng)為MRAM所需的磁性元件建造了完整的無塵室。”

　　MRAM這種新興記憶體技術(shù)已經(jīng)崛起好一段時間，目前Everspin Technologies是唯一推出商用產(chǎn)品的廠商;但盡管市場上供應(yīng)商數(shù)量有限，Hoberman表示MRAM技術(shù)已經(jīng)演進(jìn)至第三代：“pMTJ就是目前的最新進(jìn)展，而我們已經(jīng)達(dá)成。”

　　STT的公司歷史最早可追溯到2001年美國紐約大學(xué)(New York University)教授Andrew Kent所主導(dǎo)開發(fā)的一項(xiàng)研究，而該公司是在2007年正式成立，到目前為止已經(jīng)募得1.08億美元的資金，并成長為擁有60名員工的企業(yè)。

　　Hoberman指出，MRAM雖然在速度、功耗以及耐久性方面表現(xiàn)優(yōu)異，但與其他記憶體如DRAM的一個關(guān)鍵差異，是pMTJ MRAM的寫入為概略性(probabilistic)而非決定性(deterministic)，因此有一定程度的隨機(jī)性(randomness)。這意味著當(dāng)你將資料寫入DRAM記憶體單元1兆次，就大概有1兆次的成功寫入;但同樣寫入1兆次資料至pMTJ MRAM，則會有幾次是失敗的。

　　“那些失敗的寫入是隨機(jī)出現(xiàn)，如何處理這種概略性，就是讓MRAM達(dá)到所需的性能與可靠度之關(guān)鍵;”Hoberman表示，STT的目標(biāo)是讓pMTJ MRAM的概略性表現(xiàn)控制在恰當(dāng)水準(zhǔn)，以利用其專有的讀寫架構(gòu)，達(dá)到更快的速度、更好的耐久性以及更低功耗。

　　STT的目標(biāo)是讓pMTJ MRAM的概略性表現(xiàn)控制在恰當(dāng)水準(zhǔn)

　　STT看好MRAM的兩大主流應(yīng)用──企業(yè)用儲存，以及包括汽車與手機(jī)顯示等嵌入式應(yīng)用;Hoberman表示，該公司也將開發(fā)獨(dú)立MRAM元件，并將技術(shù)授權(quán)給晶圓代工業(yè)者。市場研究機(jī)構(gòu)Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，STT在技術(shù)開發(fā)腳步上雖然稍嫌落后，但因?yàn)樽杂芯A廠，可望能很快趕上競爭對手。