關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒

　　同時，在業(yè)界，根據(jù)在垂直方向堆疊的顆粒層數(shù)不同，和選用的顆粒種類不同，3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層 3D TLC/MLC顆粒的不同產(chǎn)品，這取決于各大原廠廠商的技術(shù)儲備和實際選用的顆粒種類。

　　我們可以打個比方，來理解2D NAND和3D NAND技藝之間的區(qū)別和聯(lián)系。

　　2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房，這些平房整齊排列，但是隨著需求量的不斷增加，平房的數(shù)量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無法繼續(xù)增加;

　　3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平房，因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

　　2D NAND是平房;3D NAND是樓房(圖片來自互聯(lián)網(wǎng))

　　雖然，3D NAND技術(shù)能夠在同等體積下，提供更多的存儲空間，但是這項堆疊技術(shù)對于原廠制造商來說有著相當(dāng)?shù)牟僮麟y度，需要原廠有著相當(dāng)?shù)募夹g(shù)積累，因而目前能夠掌握3D NAND技術(shù)的原廠公司十分少見，只有三星、美光等少數(shù)公司的3D NAND顆粒實現(xiàn)了量產(chǎn)和問世。

　　閃存發(fā)展趨勢：3D NAND技術(shù)是未來

　　雖然目前，許多原廠還沒有完全掌握3D NAND技術(shù)，但是隨著市場對于大容量存儲設(shè)備需求的不斷走高，2D NAND生產(chǎn)線的成本不斷提升，以及3D NAND技術(shù)帶來的利潤翻倍，都將推動各大原廠積極探索和研究更高堆疊層數(shù)的3D NAND技術(shù)。

　　根據(jù)筆者了解，包括三星、東芝等以上六大原廠廠商，都已早在2016年年初開始研發(fā)3D NAND技術(shù)，而在即將到來的2017年更是會推出基于新一代3D NAND技術(shù)制造的閃存產(chǎn)品，以滿足當(dāng)下智能手機(jī)、固態(tài)硬盤等設(shè)備對于大容量顆粒的需求。

　　(圖片來自網(wǎng)絡(luò))

　　上表，是各大閃存原廠的技術(shù)更新表，通過表格我們可以輕松看到，各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題，如今3D NAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場價格的瘋漲。

　　3D NAND量產(chǎn)太低

　　可以預(yù)計，隨著2017年各大閃存廠商開始專心研發(fā)3D NAND閃存，以及2D NAND生產(chǎn)線替換的完成，閃存顆粒市場的3D NAND將成為絕對的主流，同時由于量產(chǎn)的提高和良品率的提升，閃存顆粒的出廠價勢必也會應(yīng)聲下調(diào)，那個時候也就是各類存儲設(shè)備價格回歸正常的時候。

　　3D NAND技術(shù)將成為發(fā)展趨勢

　　最后，筆者想說的是，閃存顆粒技術(shù)在這幾年，除了制程上有著小規(guī)模的提升外，3D NAND技術(shù)的出現(xiàn)絕對是閃存制造工藝史上的革命，同時也是閃存顆粒發(fā)展的未來趨勢，更低的成本、更高的容量，帶來的是更高的利潤率，這也是各大原廠爭相研發(fā)3D NAND技術(shù)的根本原因吧。