2016年中國(guó)集成電路銷售將超4300億元

　　今年以來(lái),全球經(jīng)濟(jì)一直未完全走出國(guó)際金融危機(jī)陰影,整體復(fù)蘇疲弱乏力,增速持續(xù)放緩,傳統(tǒng)PC業(yè)務(wù)進(jìn)一步萎縮,智能終端市場(chǎng)需求逐步減弱,云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新興市場(chǎng)需求尚未爆發(fā)。美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示,受此影響,今年1~6月全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售規(guī)模依舊呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì),為1574億美元,同比下降5.8%。

　　與此相反,《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》(以下簡(jiǎn)稱《推進(jìn)綱要》)經(jīng)過(guò)近兩年的系統(tǒng)實(shí)施,第一階段目標(biāo)已順利完成。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱國(guó)家基金)金融杠桿作用逐步顯現(xiàn),適應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境和投融資環(huán)境基本形成。在政策支持以及市場(chǎng)需求帶動(dòng)下,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

　　2016年集成電路呈四大特點(diǎn)

　　第一,產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)增長(zhǎng),但進(jìn)出口受經(jīng)濟(jì)下行壓力影響較大。今年以來(lái),我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持高位趨穩(wěn)、穩(wěn)中有進(jìn)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示,1~9月全國(guó)集成電路的產(chǎn)量為943.9億塊,同比增長(zhǎng)約18.2%。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),1~6月全行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售額為1847.1億元,同比增長(zhǎng)16.1%,其中,設(shè)計(jì)業(yè)繼續(xù)保持較快增速,銷售額為685.5億元,同比增長(zhǎng)24.6%,制造業(yè)銷售額為454.8億元,同比增長(zhǎng)14.8%,封裝測(cè)試業(yè)銷售額為706.8億元,同比增長(zhǎng)9.5%。但海關(guān)數(shù)據(jù)顯示,1~9月全國(guó)集成電路進(jìn)出口額均出現(xiàn)不同程度的下滑。其中,進(jìn)口金額1615.5億美元,同比下降0.7%,出口金額444.7億美元,同比下降5.4%,整體經(jīng)濟(jì)面臨下行壓力對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)造成了一定影響。

　　第二,技術(shù)水平和企業(yè)實(shí)力同步提升。芯片設(shè)計(jì)方面,16納米先進(jìn)設(shè)計(jì)水平進(jìn)一步提升,華為海思目前已經(jīng)發(fā)布了麒麟950、955、960三款基于16納米FinFET技術(shù)的商用SoC芯片;芯片制造方面,今年2月中芯國(guó)際宣布其28納米高介電常數(shù)金屬閘極工藝已經(jīng)成功流片,這標(biāo)志著中芯國(guó)際成為中國(guó)大陸首家能夠同時(shí)提供28納米多晶硅和高介電常數(shù)金屬閘極工藝的晶圓代工企業(yè),在量產(chǎn)的基礎(chǔ)上完成技術(shù)升級(jí),實(shí)現(xiàn)了該工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)覆蓋;封裝測(cè)試方面,長(zhǎng)電科技斥資2億美元助力星科金朋積極布局高端SiP項(xiàng)目,隨著下游高端客戶的需求提升及公司SiP產(chǎn)能擴(kuò)大,將帶動(dòng)星科金朋營(yíng)收及利潤(rùn)快速增長(zhǎng)。

　　第三,國(guó)際合作持續(xù)推進(jìn),重點(diǎn)產(chǎn)品布局初步成型。《推進(jìn)綱要》發(fā)布以來(lái),海外龍頭企業(yè)不斷調(diào)整與我國(guó)合作策略,逐步由獨(dú)資經(jīng)營(yíng)向技術(shù)授權(quán)、戰(zhàn)略投資、先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、合資經(jīng)營(yíng)等方式轉(zhuǎn)變,國(guó)際先進(jìn)技術(shù)、資金加速向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。今年1月,英特爾、高通分別與清華大學(xué)、瀾起科技以及貴州省簽署協(xié)議,在服務(wù)器芯片領(lǐng)域開(kāi)展深度合作。其中,英特爾授權(quán)清華大學(xué)、瀾起科技X86架構(gòu),開(kāi)發(fā)“CPU+FPGA”結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)服務(wù)器芯片;高通與貴州省政府成立了合資公司,開(kāi)發(fā)基于ARM架構(gòu)的高性能服務(wù)器芯片。此外,一批芯片制造重大項(xiàng)目陸續(xù)啟動(dòng)。如武漢存儲(chǔ)器項(xiàng)目于3月開(kāi)工建設(shè),總投資240億美元;臺(tái)積電在南京啟動(dòng)了總投資30億美元的12英寸先進(jìn)邏輯工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目,預(yù)計(jì)2018年下半年投產(chǎn),月產(chǎn)能達(dá)到2萬(wàn)片;福建晉華存儲(chǔ)器項(xiàng)目于7月開(kāi)工建設(shè),項(xiàng)目一期投資370億元,預(yù)計(jì)2018年形成月產(chǎn)能6萬(wàn)片DRAM芯片生產(chǎn)能力。

　　第四,國(guó)家基金對(duì)地方性基金撬動(dòng)作用進(jìn)一步凸顯。今年以來(lái),國(guó)內(nèi)陸續(xù)新增多支地方性集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,總規(guī)模超過(guò)500億元。其中,湖南省于3月設(shè)立了先期2.5億元規(guī)模的集成電路創(chuàng)業(yè)投資基金,并計(jì)劃于2015年~2017年階段性設(shè)立30億~50億元規(guī)模的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金;上海市于4月完成了首期集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的募資工作,規(guī)模達(dá)到285億元,將重點(diǎn)投資芯片制造業(yè);四川省于5月設(shè)立了集成電路和信息安全產(chǎn)業(yè)投資基金,基金規(guī)模120億元,存續(xù)期10年;遼寧省于6月設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,基金規(guī)模100億元,首期募資20億元;陜西省于9月設(shè)立的初始規(guī)模60億元、目標(biāo)規(guī)模300億元的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立以來(lái),撬動(dòng)作用逐步顯現(xiàn),適應(yīng)產(chǎn)業(yè)規(guī)律的投融資環(huán)境基本建立。

　　未來(lái)存儲(chǔ)器產(chǎn)品布局有望全面鋪開(kāi)

　　下一階段,頂層設(shè)計(jì)將進(jìn)一步完善,助力產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。2016年是“十三五”的開(kāi)局之年,隨著第一階段目標(biāo)的順利完成,《推進(jìn)綱要》的實(shí)施工作也正式開(kāi)啟了第二階段的序幕。4月19日召開(kāi)的“網(wǎng)絡(luò)安全和信息化座談會(huì)”上,特別突出了信息技術(shù)對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的巨大促進(jìn)作用,并從基礎(chǔ)技術(shù)、通用技術(shù),非對(duì)稱技術(shù)、“殺手锏”技術(shù),前沿技術(shù)、顛覆性技術(shù)等三個(gè)方面對(duì)核心信息技術(shù)發(fā)展進(jìn)行了部署,對(duì)新時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出更高的要求。

　　隨著《中國(guó)制造2025》、“互聯(lián)網(wǎng)+”行動(dòng)指導(dǎo)意見(jiàn)等一系列國(guó)家戰(zhàn)略的持續(xù)深入實(shí)施,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢(shì)。預(yù)計(jì)全年產(chǎn)業(yè)銷售額將超過(guò)4300億元,同比增速約20%。與此同時(shí),從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看,芯片設(shè)計(jì)業(yè)比重將進(jìn)一步提升至約40%,可以為下游芯片制造和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)帶來(lái)大量訂單,有效推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

　　同時(shí),存儲(chǔ)器產(chǎn)品布局有望全面鋪開(kāi)。今年以來(lái),武漢,深圳、合肥、泉州等多地?cái)M布局或開(kāi)工建設(shè)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線。全球存儲(chǔ)器業(yè)自1999年始,歷經(jīng)六次大的兼并與退出,廠家數(shù)量越來(lái)越少,至今為止DRAM方面只剩下三家,包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域很久沒(méi)有“新進(jìn)者”出現(xiàn)了。中國(guó)此輪“存儲(chǔ)熱潮”既說(shuō)明《推進(jìn)綱要》第一階段實(shí)施工作已取得顯著成果,也預(yù)示著下一輪全球存儲(chǔ)器發(fā)展的中心將逐步向中國(guó)轉(zhuǎn)移。

　　另外,中資“海淘”受審查壁壘影響步伐將趨緩。自2015年以來(lái),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兼并重組、資本并購(gòu)頻發(fā),全年并購(gòu)總金額超過(guò)1200億美元,中國(guó)企業(yè)(或者資本)也積極參與到這一進(jìn)程之中。美國(guó)外商投資委員會(huì)(CFIUS)一份報(bào)告指出,近三年中資并購(gòu)案居美國(guó)國(guó)安審查首位,約占總數(shù)近1/5。中國(guó)如此大規(guī)模的并購(gòu)行為也引發(fā)了各國(guó)高度警戒,紛紛采取防止關(guān)鍵技術(shù)外流的措施。CFIUS近一年來(lái)以威脅美國(guó)國(guó)家安全為由,封殺了多起中資參與的并購(gòu)案,當(dāng)前,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)正處于快速上升期,國(guó)際并購(gòu)是支撐這一階段發(fā)展的有效途徑,但由于操作層面經(jīng)驗(yàn)不足,在一定程度上引起了國(guó)際產(chǎn)業(yè)界的抵觸情緒。

　　建議營(yíng)造高效的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)金融環(huán)境

　　從市場(chǎng)需求來(lái)看,我國(guó)擁有全球最大且增長(zhǎng)最快的集成電路市場(chǎng),特別是隨著相關(guān)國(guó)家戰(zhàn)略的組織實(shí)施,雙創(chuàng)工作持續(xù)深入推進(jìn),內(nèi)需市場(chǎng)活力將進(jìn)一步釋放,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)更加廣泛的前景。但同時(shí)也應(yīng)看到,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍面臨技術(shù)水平差距大,產(chǎn)品供給存在結(jié)構(gòu)性短板,以及人才總量不足,特別是高端人才缺乏等突出問(wèn)題。

　　為此提出一些建議:一是持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品差異化發(fā)展,進(jìn)一步加強(qiáng)需求牽引,以終端定義芯片,提升消費(fèi)類、通信類產(chǎn)品芯片層次,提升產(chǎn)品性價(jià)比,加緊布局工業(yè)控制、汽車電子、傳感器等芯片開(kāi)發(fā),推動(dòng)芯片產(chǎn)品供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革;二是進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境,推動(dòng)形成高效的產(chǎn)業(yè)資本與金融資本對(duì)接機(jī)制,適當(dāng)放寬集成電路企業(yè)上市融資的條件,營(yíng)造高效的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)金融環(huán)境。三是創(chuàng)新人才培養(yǎng)和引進(jìn)機(jī)制,加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)對(duì)接,緊密結(jié)合產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求培養(yǎng)國(guó)際化、復(fù)合型、實(shí)用性人才。完善鼓勵(lì)創(chuàng)新的分配激勵(lì)機(jī)制,研究針對(duì)優(yōu)秀企業(yè)家和團(tuán)隊(duì)的引進(jìn)“綠色通道”。