美光：3D NAND產(chǎn)能總容量已高于2D　二代3D NAND將進入大批量產(chǎn)

　　美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。

　　科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產(chǎn)能的總容量已高于2D產(chǎn)品。

　　據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術，3D NAND則是使用沉積(deposition)和蝕刻(etching)技術。由于沉積和蝕刻設備所需成本與空間，遠高于光刻設備，并且在轉換過程中，原生產(chǎn)線必須要完全停止運作，因此由原本已在生產(chǎn)2D NAND晶片的生產(chǎn)線轉換為生產(chǎn)3D NAND產(chǎn)品，并不是一件容易的事。

　　由于美光在2016年初才開始大量生產(chǎn)3D NAND產(chǎn)品，因此在考量產(chǎn)能轉換的復雜性下，在短短一年內，該公司3D NAND記憶體容量產(chǎn)能就能高于2D，確實會讓外界印象深刻。

　　AnandTech表示，隨著美光將NAND記憶體制造技術由2D轉往3D，該公司也將營運策略由先前單純以供應記憶體晶片為主，轉向專注在如Crucial MX300系列固態(tài)硬碟(SSD)等實際產(chǎn)品上。

　　這意味，隨著該公司在縮減2D NAND生產(chǎn)，并加速3D NAND生產(chǎn)的同時，也在減少向第三方銷售各種NAND晶片，逐漸脫離NAND記憶體晶片的現(xiàn)貨/合約市場。

　　Maddock表示，目前3D NAND記憶體每位元生產(chǎn)成本(cost-per-bit)與先前預估一致，約比2D生產(chǎn)成本要低上20~25%。這對美光轉往3D NAND發(fā)展，以及固態(tài)硬碟產(chǎn)品銷售的可能獲利，無疑是一大好訊息。

　　資料顯示，面對其他業(yè)者的激烈競爭，美光固態(tài)硬碟產(chǎn)品的市占已由2015年第1季的7.1%，下滑為2016年第2季的3.9%，出貨量則由165萬顆，下滑為125萬顆。因此該公司對基于3D NAND記憶體的最新MX300系列產(chǎn)品推出寄予厚望。

　　此外，Maddock透露，在未來幾周內，第二代64層3D NAND產(chǎn)品也將開始進入大批量產(chǎn)階段。并且第二代3D產(chǎn)品的容量密度不但比第一代產(chǎn)品要高出一倍，而且第二代產(chǎn)品的每位元生產(chǎn)成本，也會再較第一代約減少30%。據(jù)悉，美光第二代64層3D NAND產(chǎn)品將由該公司位于新加坡的Fab 10X廠負責生產(chǎn)。

　　目前除美光外，三星電子(Samsung Electronics)與東芝(Toshiba)/威騰(Western Digital)等業(yè)者也都準備生產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品。

　　三星表示，在完成64層V-NAND記憶體在移動式儲存裝置與行動裝置的使用測試后，預計會在2017年將64層V-NAND記憶體運用在固態(tài)硬碟產(chǎn)品上。至于東芝/威騰采用64層BiCS 3D NAND的固態(tài)硬碟產(chǎn)品，也預計會于2017年推出。

　　根據(jù)美光先前公布的2016會計年度第4季(2016年6月3日~9月1日)財報，目前美光DRAM與非揮發(fā)性記憶體(NVM)產(chǎn)品營收，分別占總營收的60%與31%。此外，2016會計年度第4季DRAM與非揮發(fā)性記憶體平均售價分別下滑了6%與1%;DRAM與非揮發(fā)性記憶體銷售位元數(shù)則是分別成長了20%與13%。