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          中國集成電路擴建之后 降低成本是關鍵

          作者: 時間:2017-01-05 來源:中國電子報 收藏

            或許是巧合!12月30日,長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關注的重大項目,同日舉行了開工啟動儀式。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/342482.htm

            長江存儲是國內(nèi)最大的存儲器項目之一,瞄準3D 技術,建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設項目則是“909工程”的二次升級改造,將建設邏輯芯片的代工生產(chǎn)線,建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產(chǎn)平臺,追趕國際先進水平。

          中國集成電路擴建之后 降低成本是關鍵

            隨著《國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的推進,中國IC業(yè)掀起一輪高速發(fā)展的投資熱潮,其中又以晶圓制造為重點發(fā)展領域。經(jīng)過近兩年發(fā)展,一批重大項目陸續(xù)進入開工建設階段,預計2017年將成為中國IC業(yè)的重要建設期。未來隨著這些產(chǎn)線的投產(chǎn),拼技術、工藝、良品率以及成本將成為“主旋律”,也是檢驗這些項目最終能否成功的關鍵。

            兩大項目同日開工

            12月30日,紫光集團聯(lián)合國家產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目,在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設。據(jù)了解,此次正式開工建設的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D Flash FAB 廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。該項目總投資240億美元,主要生產(chǎn)存儲器芯片,總占地面積1968畝。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個項目,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

            紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國強調(diào),國家存儲器基地正式動工建設不僅僅是一個項目的開工,更具有特別的意義:一是存儲器基地項目是中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破,相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航;二是存儲器基地項目的運作,是一種新模式的成功探索,這種新模式就是“國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作”的三合一;三是存儲器基地項目投資強度大,是中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項目,也是湖北省最大的投資項目,還是中國最大的單體投資項目。

            就在同一天,華力微12英寸先進工藝生產(chǎn)線項目也舉行了開工儀式。該項目總投資為387億元,將建設一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線,工藝從28納米起步,最終具備14納米三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。本次開工建設的華力12英寸先進工藝集成電路生產(chǎn)線,是“909工程”的二次升級改造項目,被列為國家《“十三五”集成電路產(chǎn)業(yè)重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃》的重點項目,也是“十三五”期間上海最大的產(chǎn)業(yè)投資項目。項目建成后,華虹集團將擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產(chǎn)平臺。根據(jù)項目規(guī)劃,項目將于2017年底完成基建工程,2018年底完成工藝集成、試生產(chǎn),逐步提高工藝等級和產(chǎn)能并達綱。

            降低成本是關鍵

            由于全球集成電路大廠紛紛看好中國大陸市場,陸續(xù)在我國大陸投資設立12英寸廠,包括臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等,分別覆蓋了先進邏輯工藝、 Flash、DRAM及LCD驅(qū)動IC等產(chǎn)品領域。 而我國集成電路產(chǎn)業(yè)目前則面臨著嚴峻的“兩個在外”挑戰(zhàn),即集成電路設計企業(yè)的產(chǎn)品主要在海外加工;集成電路制造企業(yè)的主要業(yè)務也在海外。集成電路制造企業(yè)的產(chǎn)能和工藝技術能力均不能滿足國內(nèi)設計企業(yè)的需求。應對國際競爭,立足提高芯片自制能力,近年來我國集成電路制造企業(yè)也在不斷謀求產(chǎn)能擴展和工藝技術能力提升,主要廠商接連啟動新的擴產(chǎn)計劃。

            本次開工的兩個項目具有很強的代表性。存儲器是應用最廣泛的芯片產(chǎn)品之一,其重要性不在CPU之下,在數(shù)據(jù)中心大規(guī)模建設的推動下,其市場規(guī)模還在不斷擴大。而晶圓制造則是IC產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的環(huán)節(jié)之一,《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》中便強調(diào)要以制造為基礎,發(fā)展我國的IC產(chǎn)業(yè)。

            但是,挑戰(zhàn)也十分嚴峻。有業(yè)內(nèi)人士表示:“長江存儲,開工易,研發(fā)難;儀式易,做事難;起點易,終點難。”我國在大規(guī)模投資建設了這些生產(chǎn)項目之后,如何盡快提高成品率,實現(xiàn)盈虧平衡,將是未來企業(yè)需要面對的最重要的考驗。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù),目前處于規(guī)劃或建設階段,預計將于2017年~2020年間投產(chǎn)的62座半導體晶圓廠,其中26座設于中國大陸,占全球總數(shù)42%。中國集成電路企業(yè)在這個市場環(huán)境中想要繼續(xù)運營發(fā)展,不斷擴大投入是必然之舉。但是,關建是要解決積累與擴張的平衡之道,以期盡快解決盈虧平衡問題。

            半導體專家莫大康也指出,快速降低成本是最關鍵的一環(huán),特別是對于存儲器來說,拼的就是工藝和成本,只有將成品率提上來,成本降下去,發(fā)展才具有持續(xù)性。“在投產(chǎn)初期,成本至少要控制在國際企業(yè)的1~2倍才有希望。否則任何企業(yè)也做不到持續(xù)投入,經(jīng)不起長期的虧損。”他說。



          關鍵詞: 集成電路 NAND

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