格羅方德“入川” 中美半導(dǎo)體領(lǐng)域博弈日趨激烈

　　“用美國貨，雇美國人”，美國總統(tǒng)特朗普在他“Make America Great Again”的口號(hào)中反復(fù)強(qiáng)調(diào)將工作機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)移回美國本土的決心和意志，而大批的制造型企業(yè)在這一過程中就成了首要針對(duì)的目標(biāo)。而政府的施壓顯然也起到了一定的作用，英特爾和富士康先后傳出將投入70億美元在美國建立工廠。

　　然而，一切也顯然并非都如特朗普所預(yù)期。2月10日，全球第二大晶圓代工廠商格羅方德(Global Foundries)宣布以百億美元在中國成都建立12英寸晶圓制造基地。

　　格羅方德成都12英寸晶圓制造基地奠基儀式現(xiàn)場

　　格羅方德布局成都

　　眾所周知，半導(dǎo)體在人類社會(huì)中的重要性無可比擬，其廣泛應(yīng)用于包括醫(yī)療、航空、電腦以及智能手機(jī)、智能家居等生產(chǎn)生活的各方各面。半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)也已成為支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，在下一波的移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊和人工智能等領(lǐng)域起到關(guān)鍵性角色，全球市場也是需求巨大。

　　2月10日上午，總投資約90.53億美元的12英寸晶圓項(xiàng)目簽約及奠基儀式在成都市高新西區(qū)舉行，宣告格羅方德進(jìn)軍成都。其實(shí)，早在2016年5月份格羅方德計(jì)劃在重慶成立合資公司的時(shí)候，一份諒解備忘錄就已經(jīng)透露出其真正的目標(biāo)不在重慶，而是成都。直到今日，那個(gè)在當(dāng)時(shí)看起來就雄心勃勃的計(jì)劃才終于露出廬山真面目。

　　格羅方德首席執(zhí)行官Sanjay Jha

　　在該項(xiàng)目中，作為主要股東格羅方德就不僅引入了先進(jìn)的工藝技術(shù)，還將整體計(jì)劃有步驟地分兩期進(jìn)行。第一階段采用從新加坡轉(zhuǎn)移過來的130-180微米芯片生產(chǎn)工藝，月產(chǎn)20000片，預(yù)估2018年投產(chǎn);而項(xiàng)目二期所應(yīng)用的則是來自德累斯頓的22FDX-SOI生產(chǎn)工藝，預(yù)計(jì)2019年第四季度投產(chǎn)。這是格羅方德最先進(jìn)的技術(shù)之一，具有功耗省、綜合成本低等優(yōu)勢。

　　對(duì)此，格羅方德首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“此次合作將極大提高成都作為中國國家半導(dǎo)體和IT產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位，進(jìn)一步吸引更多科技企業(yè)投資落戶，最終使成都成為國際卓越的FD-SOI產(chǎn)業(yè)中心。”

　　格羅方德12英寸晶圓

　　成都高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人對(duì)此非?？隙?，也重申了到2020年要將成都建成國際知名電子信息產(chǎn)業(yè)基地的目標(biāo)。

　　與此同時(shí)，格羅方德還公布了它在其他方面的戰(zhàn)略規(guī)劃，包括：

　　提升紐約第八工廠14nm芯片20%的產(chǎn)能;

　　2020年前提升德累斯頓工廠40%的產(chǎn)能;

　　新加坡300mm工廠的40nm芯片產(chǎn)能提升35%以及180nm芯片的生產(chǎn);

　　RF-SOI(射頻硅晶絕緣體工藝，主要用于生產(chǎn)功放等射頻芯片)技術(shù)的提升。這都反映出格羅方德面對(duì)轉(zhuǎn)型進(jìn)行全面變革所采取的措施。

　　晶圓代工大廠的危機(jī)轉(zhuǎn)折

　　事實(shí)上，在如今中國的半導(dǎo)體產(chǎn)品消費(fèi)已占全球市場40%的情況下，各路玩家紛紛布局中國已成大勢所趨。英特爾、三星和SK海力士早已在中國建立全資子公司并進(jìn)行了芯片生產(chǎn)，臺(tái)積電也突破政策阻撓，先后在中國大陸開辦16nm制程工廠和300mm晶圓廠，而市場的吸引力仍是背后最主要的推力。

　　不僅如此，大陸本土的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也在不斷崛起之中。前有2014年9月24日成立的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，超過千億規(guī)模的基金重點(diǎn)投資集成電路芯片制造業(yè)。后有清華紫光、中芯國際等行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的大手筆并購和投資，比如，在收并銳迪科和展訊的同時(shí)，清華紫光又以240億美金和300億美金在武漢和南京設(shè)立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

　　2016年格羅方德為世界第二大晶圓代工廠，落后于臺(tái)積電

　　反觀格羅方德，其常年名列世界第二大專業(yè)晶圓代工廠的寶座，但與第一名臺(tái)積電的差距依舊十分明顯。

　　自 2009 年從 AMD 獨(dú)立出來之后，在大股東阿聯(lián)酉阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)的雄厚資金的支持下，格羅方德也有過輝煌的時(shí)期，2010年初收購新加坡特許半導(dǎo)體公司之后當(dāng)年業(yè)務(wù)大漲，營收同比暴增219%達(dá)到35.1億美元，逼近聯(lián)電的營收39億美元。在28nm芯片的競爭中，格羅方德雖然仍沒追趕上臺(tái)積電，但依然爭取到了高通、蘋果等客戶的重要訂單，并借此穩(wěn)住了其全球第二大晶圓廠的地位。

　　格羅方德脫胎于AMD

　　可情況在2014年出現(xiàn)了轉(zhuǎn)機(jī)，中國大陸崛起了展訊、海思、聯(lián)芯、瑞芯微等芯片企業(yè)，聯(lián)電也憑借著技術(shù)的領(lǐng)先和就近服務(wù)大陸市場的優(yōu)勢在這一年?duì)I收增長超過10%，而格羅方德的成績則在2014年負(fù)增長3.3%，聯(lián)電的營收以微弱優(yōu)勢超過格羅方德奪回半導(dǎo)體代工全球第二的位置。

　　此外，雖然格羅方德在獨(dú)立運(yùn)營后營收也在持續(xù)增長，然而卻經(jīng)常處于虧損之中。2011年底格羅方德累計(jì)赤字達(dá)到11.2億美元，2012年?duì)I收超越聯(lián)電凈利潤卻幾乎為零，2013年虧損9億美元，2014年凈虧損更是達(dá)到15億美元，連續(xù)的巨虧讓身為土豪股東的阿聯(lián)酉都有些吃不消，以至于曾傳出ATIC有意出售格羅方德的傳言。

　　在風(fēng)雨飄搖之中，進(jìn)軍中國市場成了格羅方德絕地重生的重要一步，即便是冒著新任總統(tǒng)特朗普的政策封鎖也在所不惜。

　　據(jù)消息人士透露，由于格羅方德單方面的原因，其最開始的建廠是選址在了重慶，但問題在于極其不合理的條件使得重慶政府無法答應(yīng)。

　　格羅方德本就財(cái)務(wù)緊張，卻想將用中方的資金和政策優(yōu)惠購買一批新設(shè)備送至美國工廠以研發(fā)新技術(shù)，重慶工廠使用的則是從美國運(yùn)來的老舊設(shè)備。這樣的條件對(duì)于重慶而言很難接受。

　　但最后，格羅方德選定了成都很有可能也是做出了妥協(xié)的結(jié)果。根據(jù)格羅方德公司CEO桑杰表示，其之所以選擇成都是因?yàn)檫@里有“成熟的基礎(chǔ)設(shè)施、熟練的勞動(dòng)工人，集聚了英特爾、德州儀器、AMD等在內(nèi)的電子信息產(chǎn)業(yè)眾多領(lǐng)先的技術(shù)公司，已經(jīng)形成了從IC設(shè)計(jì)、晶圓制造到IC封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。”

　　華芯通成立儀式

　　而格羅方德在華積極籌建合資工廠的做法與之前的高通簡直如出一轍。在大力開發(fā)中國伺服器晶片市場的過場中，高通就與貴州官方成立合資公司華芯通，正確的方向和定位使得高通賺得盤滿缽滿。

　　企業(yè)背后的國家角力

　　而透過此次格羅方德的“入川”行為，中美雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的博弈和相互掣肘的局面也逐漸顯現(xiàn)。1月6日，美國總統(tǒng)科技顧問委員會(huì)發(fā)布的《關(guān)于確保美國在半導(dǎo)體行業(yè)長期領(lǐng)先的報(bào)告》就直接宣稱，中國大舉投資芯片行業(yè)，已經(jīng)對(duì)美國的有關(guān)企業(yè)和國家安全造成了嚴(yán)重威脅。

　　對(duì)此，他們建議，美國政府阻止中國半導(dǎo)體企業(yè)的收購行為、加強(qiáng)對(duì)中國芯片出口的限制、審查中國的海外芯片產(chǎn)業(yè)投資?？傊搱?bào)告已經(jīng)透露，美國政府對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的擔(dān)憂和重視，想必日后的審查行為也會(huì)更加嚴(yán)密。

　　中國半導(dǎo)體行業(yè)崛起

　　從側(cè)面來看，中國擁有龐大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，每年消費(fèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品超過1000億美元，對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視已經(jīng)被中國政府提升到了戰(zhàn)略的高度。在工業(yè)政策“中國制造2025”的配合之下，中國政府努力扭轉(zhuǎn)半導(dǎo)體行業(yè)落后的局面，目標(biāo)是在2025年將當(dāng)前不足10%的芯片國產(chǎn)化率提升到70%，并在2030年時(shí)成為全球芯片行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。

　　如此對(duì)立的兩國政策在未來所激發(fā)的漣漪想必對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體乃至整個(gè)科技行業(yè)都會(huì)產(chǎn)生難以預(yù)估的影響，而這輪對(duì)壘的結(jié)局最終如何，除了要考察各自企業(yè)的具體舉動(dòng)之外，最重要的還是在于觀察雙方力量的此消彼長，以期從中摸索出未來的趨勢和走向。