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          芯芯向榮or芯芯向戎 中國(guó)晶圓制造業(yè)發(fā)展情況解讀

          作者: 時(shí)間:2017-03-07 來(lái)源:芯思想 收藏
          編者按:中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能缺口不僅僅只是建設(shè)幾個(gè)FAB就可以彌補(bǔ)的。而且建設(shè)FAB也不是肯堆錢(qián)就行,即使FAB廠房建好,設(shè)備在哪里?運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)在哪里?客戶在哪里?

            六、“兩頭在外”的困境如何破局

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201703/344861.htm

            01專(zhuān)項(xiàng)總體專(zhuān)家組組長(zhǎng)多個(gè)場(chǎng)合表示,國(guó)家為什么要頒布推進(jìn)綱要?首先是滿足國(guó)家的戰(zhàn)略需求。國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展中所依靠的一些核心的芯片,我們基本上都依賴國(guó)外。其次,解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展“兩頭在外”的現(xiàn)象。也就是說(shuō),我們的設(shè)計(jì)企業(yè),加工在外;制造企業(yè),設(shè)計(jì)在外。

            那么問(wèn)題來(lái)了?核心的芯片就是CPU、內(nèi)存芯片、高速高精度AD/DA芯片、高端FPGA芯片和IGBT等。這些不是簡(jiǎn)單建幾個(gè)FAB就可以生產(chǎn),這些都需要更先進(jìn)的工藝技術(shù)。

            為了破局“兩頭在外”的困境,我們必須有更先進(jìn)的工藝來(lái)支撐。

            目前和華力微的28nm工藝都于2015年下半年成功試產(chǎn),還處在小規(guī)模量產(chǎn)階段,還只是28nm Poly。而28nm HKMG僅僅只是試制成功,離量產(chǎn)應(yīng)該還有一段路要走。

            12寸代工工藝主要是65/55nm、45/40nm兩大工藝節(jié)點(diǎn),合計(jì)占公司總營(yíng)收43%,公司CEO邱慈云表示28nm的營(yíng)收在2017年將占公司總營(yíng)收的7-9%。

            將跳過(guò)20nm制程,直接進(jìn)入14nm FinFET工藝制程,這將對(duì)中芯國(guó)際是一個(gè)巨大的考驗(yàn)。FinFET和Bulk CMOS工藝是完全不同的,Bulk CMOS是平面工藝,F(xiàn)inFET是立體工藝。

            華力微在攻關(guān)28nm、14nm工藝的同時(shí),也在評(píng)估FD-SOI技術(shù),希望憑借其低成本優(yōu)勢(shì)和FinFET技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

            其時(shí)在SOI方面國(guó)內(nèi)已經(jīng)進(jìn)行了布局。材料方面,2015年上海新傲科技已開(kāi)始生產(chǎn)SOI工藝的200毫米,引入的是法國(guó)Soitec公司獨(dú)有的Smart Cut技術(shù)。

            有工藝專(zhuān)家表示,雖然SOI工藝錯(cuò)過(guò)成為主流技術(shù)的機(jī)會(huì),無(wú)法與FinFET爭(zhēng)奪主流地位,也不會(huì)取代FinFET。但可以進(jìn)行差異化競(jìng)爭(zhēng),不和FinFET拼性能,但可以在合適的領(lǐng)域拼性價(jià)比,比如RF、嵌入式MARM、低功耗。

            所以華力微未來(lái)上馬FD-SOI工藝技術(shù),不失為一條捷徑。

            七、小結(jié)

            1、中國(guó)是需要建FAB,但是我們的設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)要跟上,我們不能依靠美歐日的設(shè)備材料公司提供,一旦有情況發(fā)生,將出現(xiàn)巧婦難為無(wú)米之炊。讓人欣慰的是,在02重大專(zhuān)項(xiàng)支持下,我國(guó)的設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)取得了喜人的進(jìn)步,刻蝕機(jī)、氧化機(jī)、薄膜、光刻、離子注入等設(shè)備成功替代國(guó)外廠商同類(lèi)產(chǎn)品,進(jìn)入中芯國(guó)際。同時(shí)隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備大量投入使用,將使得我國(guó)芯片制造的設(shè)備采購(gòu)成本降低。

            2、在12寸及尖端先進(jìn)工藝方面,國(guó)家必須砸入重金進(jìn)行持續(xù)支持,F(xiàn)inFET和SOI同時(shí)攻關(guān),緊跟國(guó)際先進(jìn)技術(shù),不要妄想彎道超車(chē),彎道超車(chē)稍有不慎就會(huì)車(chē)毀人亡。我們只要跟住對(duì)手,不要再次拉大差距,迫使對(duì)手忙中出錯(cuò),直線超車(chē)又快又安全。

            3、加大人才培養(yǎng)力度。除了在大學(xué)進(jìn)行培養(yǎng)外,還應(yīng)該在中芯國(guó)際、華力微、華虹宏力等公司加大梯隊(duì)人才培養(yǎng),要讓中芯國(guó)際、華力微、華虹宏力成為我國(guó)制造業(yè)的黃埔軍校。只要黃埔軍校真正發(fā)揮作用,中國(guó)的晶圓制造的運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)就不再需要花費(fèi)3倍高價(jià)去臺(tái)灣、美國(guó)等地區(qū)挖人了。

            4、中央政府對(duì)晶圓制造要有合理的布局,同時(shí)對(duì)地方政府的不規(guī)范行為應(yīng)該進(jìn)行遏制。地方政府不能給予外資晶圓制造以超國(guó)民待遇,以免與內(nèi)資企業(yè)造成不公平競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。


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