埃米時代不遠(yuǎn)了？Imec擘劃先進(jìn)制程藍(lán)圖

　　隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和奈米線或穿隧FET或自旋波電晶體，他們還必須嘗試更多類型的存儲器;另一方面，14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了…

　　在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上，Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖，預(yù)計在2025年后將出現(xiàn)新制程節(jié)點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一制程相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此外，新的占位符號出現(xiàn)，顯示制程技術(shù)專家樂觀看待半導(dǎo)體進(jìn)展的熱情不減。

　　Steegen指出：“我們?nèi)栽噲D克服種種困難，但如何實(shí)現(xiàn)的途徑或許已經(jīng)和以前所做的全然不同了。”

　　14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了。單個砷原子(半導(dǎo)體所使用的較大元素之一)大約為1.2埃。

　　隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合鰭式場效電晶體(FinFET)和奈米線或穿隧FET或自旋波電晶體。他們將會開始嘗試更多類型的存儲器，而且還可能為新型的非馮·諾依曼電腦(non-Von Neumann)提供芯片。

　　短期來看，Steegen認(rèn)為業(yè)界將在7nm采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)、FinFET則發(fā)生在5nm甚至3nm節(jié)點(diǎn)，而奈米線電晶體也將在此過程中出現(xiàn)。

　　如今，14埃米節(jié)點(diǎn)還只是出現(xiàn)在簡報上的一個希望 (來源：Imec)

　　Steegen表示：“從事硬體開發(fā)工作的人員越來越有信心，相信EUV將在2020年初準(zhǔn)備好投入商用化。經(jīng)過這么多年的努力，這一切看來正穩(wěn)定地發(fā)展中?！?/p>

　　Imec是率先安裝原型EUV系統(tǒng)的公司，至今仍在魯汶(Leuven)附近大學(xué)校園旁的研究實(shí)驗(yàn)室中持續(xù)該系統(tǒng)的開發(fā)。

　　Steegen預(yù)計，EUV“將在最關(guān)鍵的層級導(dǎo)入制程，”以便在線路終端處完成通道和區(qū)塊。使用今天的浸潤式步進(jìn)器，這項(xiàng)任務(wù)必須通過3或4次的步驟，但透過EUV更精密的解析度，只需一次即可完成。

　　工程師在這些先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上工作時，必須先檢查其設(shè)計能夠搭配使用浸潤式或EUV系統(tǒng)。當(dāng)他們在將芯片發(fā)揮到極致時，將會使用EUV更進(jìn)一步縮小其設(shè)計。

　　無論如何，還需要3或甚至4次的浸潤式圖案化過程，才能打造具有小于40nm間距的特征尺寸。工程師不要指望設(shè)計規(guī)則能很快地變得更簡單。

　　Imec勾勒未來節(jié)點(diǎn)可能實(shí)現(xiàn)的功率性能

　　選擇抗蝕劑與電晶體

　　找到合適的抗蝕劑材料是讓EUV順利量產(chǎn)的幾項(xiàng)挑戰(zhàn)之一。到目前為止，如果研究人員能以20毫焦耳/平方公分的曝光能量進(jìn)行，就能使EUV順利進(jìn)展。

　　包括ASML、東京電子(Tokyo Electron)和ASM等幾家公司正在開發(fā)專有(意味著昂貴)的技術(shù)來解決問題。它們通常涉及了抗蝕劑處理以及多個制程步驟，才能蝕刻或退火掉粗糙度。

　　“這項(xiàng)技術(shù)看起來非常有希望，所以我們有信心能夠克服線邊粗糙度(LER)的問題，”Steegen說。

　　此外，Imec現(xiàn)正開發(fā)保護(hù)EUV晶圓免于污染的防塵薄膜。它以碳奈米管提供承受EUV曝光超過200W以上所需的強(qiáng)度，而非阻擋大部份光源穿透晶圓。

　　除了EUV以外，下一個重大障礙是基本電晶體的設(shè)計轉(zhuǎn)變——任何元件核心的電子開關(guān)。Steegen說：“FinFET的微縮是必須解決的關(guān)鍵問題?！?/p>

　　截至目前為止，研究顯示，F(xiàn)inFET可以在5nm時使用，而如果導(dǎo)入EUV的情況順利，甚至可沿用至3nm節(jié)點(diǎn)。Steegen說：“在3nm節(jié)點(diǎn)，F(xiàn)inFET和奈米線的效果能幾乎一樣好，但奈米線閘極間距帶來了更多的微縮，”他并展示一項(xiàng)堆疊8根奈米線的研究。

　　詳細(xì)觀察阻抗劑的問題顯示，使用化學(xué)助劑和不使用化學(xué)助劑(CAR和NCAR)的研究結(jié)果。LWR/LCDU是指線邊粗糙度的測量值應(yīng)不超過特征間距尺寸的十分之一，圖中的范圍約為3.2至2.6。

　　通道微縮與存儲器

　　如果EUV一再延遲，芯片制造商將會調(diào)整單元庫來縮小芯片。Imec正致力于開發(fā)一個3軌(3-track)的單元庫，這是將芯片制造商目前用于10nm先進(jìn)制程的7-track單元庫縮小了0.52倍。

　　其折衷之處在于它能實(shí)現(xiàn)3nm節(jié)點(diǎn)，但僅為每單元1個FinFET保留空間，較目前每單元3個FinFET減少了。此外，隨著單元軌縮小，除了從7nm節(jié)點(diǎn)開始的挑戰(zhàn)，預(yù)計工程師還將面對新的設(shè)計限制。

　　Imec正致力于開發(fā)幾種得以減輕這些困難的設(shè)計，包括所謂的超級通道(super-vias)，連接3層(而2層)金屬以及深埋于設(shè)計中的電源軌，以節(jié)省空間。

　　這項(xiàng)工作顯示，設(shè)計人員可能被迫在3nm時移至奈米線電晶體，實(shí)現(xiàn)完全以浸潤式步進(jìn)器為基礎(chǔ)的制程。然而，透過EUV，3nm制程仍可能有足夠的空間實(shí)現(xiàn)5-track的單元庫，因而使用基于FinFET的元件。

　　僅使用浸潤式步進(jìn)器的制程可縮小單元軌，但卻會隨著閘極(紅色)縮小而犧牲FinFET(綠色)數(shù)量。而在底部，Imec展示研究人員正開發(fā)的4個結(jié)構(gòu)，用于減緩微縮。

　　無論如何，到了這些更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)時，系統(tǒng)、芯片和制程工程師都必須比以往更加密切地合作。他們必須確定哪些功能可以被整合于單一芯片上，或者是否需要單獨(dú)的芯片制作，如果是這樣的話，那么這些芯片又該如何進(jìn)行鏈接等等。

　　同時，還有一大堆新的存儲器架構(gòu)仍處于實(shí)驗(yàn)室階段。Steegen說，磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)目前是最有前景的替代技術(shù)，可用于取代SRAM快取，甚至是DRAM。然而，MRAM到了5nm以后可能還需要新電晶體結(jié)構(gòu)。

　　此外，還有其他更多有趣的選擇，包括自旋軌道轉(zhuǎn)矩MRAM以及鐵電RAM，可用于取代DRAM。業(yè)界目前正專注于至少5種備選的儲存級存儲器技術(shù)，主要是交錯式(crossbar)和電阻式RAM結(jié)構(gòu)的存儲器。

　　此外，Imec正開發(fā)新版OxRAM，將有助于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的設(shè)計。目前已經(jīng)針對可承受汽車設(shè)計所需溫度條件的方法進(jìn)行測試了。

　　面對諸多極其乏味的選擇與嚴(yán)苛挑戰(zhàn)，Steegen依然樂觀。在開始對1,800位與會者發(fā)表演講之前，她還快速地進(jìn)行了一項(xiàng)調(diào)查，結(jié)果顯示有68%的人認(rèn)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將順利過渡到3nm節(jié)點(diǎn)。

　　她說：“謝謝所有對這個可能性回答『是』的人，而對于那些認(rèn)為『不』的人，我會證明你錯了。”