NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC （Single Level Cell）；多層單元MLC（Multi Level Cell）；多位單元MBC（Multi Bit Cell）。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。

采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。

1997年，MLC架構(gòu)的NAND閃存被英特爾率先研發(fā)出來，其原理是將2個或2個以上bit以上的信息寫入一個浮動?xùn)牛缓罄貌煌娢坏碾姾?，透過內(nèi)存儲存格的電壓控制精準讀寫。由于其成本低，容量大，自問世以來得到了包括英特爾在內(nèi)的多家閃存大廠的支持，其中東芝公司更是看好MLC技術(shù)，并大力發(fā)展。但是MLC架構(gòu)也同樣有其缺點，首先是運行情況不及SLC架構(gòu)來的穩(wěn)定；而且相對讀寫速率也較SLC慢；其次MLC的可寫入次數(shù)僅為1萬次左右。因此，MLC架構(gòu)的NAND芯片一度被認為是低質(zhì)低價的閃存芯片。但是由于其容量上的先天優(yōu)勢，MLC技術(shù)也在不斷改進和發(fā)展。

SLC和MLC結(jié)構(gòu)和工作原理示意圖 本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201706/353427.htm

兩個MCL Block的NAND FLASH

因為其低成本及容量高的關(guān)系，該類型閃存已經(jīng)主宰了我們身邊的眾多存儲媒介。由于目前移動設(shè)備的不斷增長，大容量高速非易失性存儲設(shè)備成為市場需求的目標。