NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC
采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息,以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn),Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點(diǎn),就是面積容量相對(duì)比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
1997年,MLC架構(gòu)的NAND閃存被英特爾率先研發(fā)出來,其原理是將2個(gè)或2個(gè)以上bit以上的信息寫入一個(gè)浮動(dòng)?xùn)?,然后利用不同電位的電荷,透過內(nèi)存儲(chǔ)存格的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。由于其成本低,容量大,自問世以來得到了包括英特爾在內(nèi)的多家閃存大廠的支持,其中東芝公司更是看好MLC技術(shù),并大力發(fā)展。但是MLC架構(gòu)也同樣有其缺點(diǎn),首先是運(yùn)行情況不及SLC架構(gòu)來的穩(wěn)定;而且相對(duì)讀寫速率也較SLC慢;其次MLC的可寫入次數(shù)僅為1萬次左右。因此,MLC架構(gòu)的NAND芯片一度被認(rèn)為是低質(zhì)低價(jià)的閃存芯片。但是由于其容量上的先天優(yōu)勢(shì),MLC技術(shù)也在不斷改進(jìn)和發(fā)展。
SLC和MLC結(jié)構(gòu)和工作原理示意圖 本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201706/353427.htm |
兩個(gè)MCL Block的NAND FLASH |
因?yàn)槠涞统杀炯叭萘扛叩年P(guān)系,該類型閃存已經(jīng)主宰了我們身邊的眾多存儲(chǔ)媒介。由于目前移動(dòng)設(shè)備的不斷增長,大容量高速非易失性存儲(chǔ)設(shè)備成為市場需求的目標(biāo)。
評(píng)論