累計超千億美元，梳理中國十大半導(dǎo)體廠商投資項目

　　自2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布并同期成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以來，中國各地政府圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進行戰(zhàn)略部署，提升中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在設(shè)計、制造和封測等技術(shù)上的長足進步，吸引了各路資本的迅猛支持，加大了自主創(chuàng)新的技術(shù)導(dǎo)入，推動了集成電路大時代的到來。

　　筆者通過梳理《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布前后中國半導(dǎo)體投資案例，發(fā)現(xiàn)近年來圍繞紫光、武漢新芯、海力士、合肥長鑫、三星、聯(lián)電、英特爾、福建晉華、臺積電、中芯國際等十家半導(dǎo)體廠商發(fā)生的中國十一大半導(dǎo)體投資案總額已經(jīng)超過1000億美元。

　　1、紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目投資案最大

　　2017年1月份，紫光集團宣布紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項目，在南京正式簽約，總投資2600億元人民幣，其中約300億美元投向紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

　　據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬片。

　　紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目位于南京市江北新區(qū)浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園，以存儲芯片及存儲器尖端制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售于一體，可帶動設(shè)計、制造、封裝、測試等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

　　而除紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目外，紫光集團還將投資約300億元圍繞南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)配套IC國際城，包含科技園、設(shè)計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國際人才公寓等綜合配套設(shè)施，由紫光集團旗下紫光云數(shù)科技有限公司為主體。該項目將遵循“國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作”三合一的新模式。該項目巨額的投資強度居中國集成電路行業(yè)單體投資前列，將產(chǎn)生巨大的虹吸效應(yīng)，并吸引更多的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)和科技人才聚集，加快本地高新產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　2、武漢新芯32層3D NAND芯片通過各項指標(biāo)測試

　　2016年3月28日，國家存儲器基地項目揭牌落戶武漢新芯，項目總投資達240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地正式啟動，以生產(chǎn)Flash、DRAM等存儲芯片為主，發(fā)展3D NAND技術(shù)。

　　該項目位于湖北武漢東湖高新區(qū)的光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能，年產(chǎn)值將超過100億美元。而這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，涵蓋存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售等。

　　2016年7月26日，長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱長江存儲)正式成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎(chǔ)上建立長江存儲，趙偉國任長江存儲董事長。武漢新芯將是長江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。

　　長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。目前，長江存儲的32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標(biāo)測試，達到預(yù)期要求，預(yù)計2018年實現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載。

　　3、SK海力士無錫12吋廠進入六期技術(shù)升級

　　自2005年以來，歷經(jīng)5期重大投資建設(shè)，海力士在江蘇無錫12吋廠累計投資額達105億美元，是江蘇省單體投資規(guī)模最大的外商投資項目。

　　2017年6月，SK海力士12吋集成電路生產(chǎn)線六期技術(shù)升級項目，利用SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司自有存量土地，引進新設(shè)備，將半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)升級至1Y納米級別。項目建設(shè)后，形成每月9萬片的生產(chǎn)能力。

　　據(jù)悉，本次六期工程將現(xiàn)有的20nm級產(chǎn)品大部分升級至10nm級產(chǎn)品的同時，進一步降低10nm級產(chǎn)品的線寬。本項目建成后，全廠將形成總產(chǎn)量121K片/月12英寸集成電路芯片的生產(chǎn)能力，其中10nm級產(chǎn)品115K片/月，20nm級6K片/月。2017年計劃投資46億元，將于2019年建成投產(chǎn)。

　　4、合肥長鑫興建12寸晶圓廠投產(chǎn)DRAM

　　2017年5月，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣布，預(yù)計由合肥長鑫投資72億美元的金額，興建12寸晶圓廠以發(fā)展 DRAM 產(chǎn)品，以生產(chǎn) 19nm DRAM 產(chǎn)品為主，預(yù)計最大月產(chǎn)將能高達 12.5萬片的規(guī)模。

　　據(jù)悉，這家由合肥長鑫公司所創(chuàng)立，名稱為 Rui-Li 集成電路公司的12寸晶圓廠，預(yù)計在 2018 年第 1 季開始安裝生產(chǎn)設(shè)備，并且開始與晶圓供應(yīng)商進行商談，以確保 2018 年內(nèi)獲得穩(wěn)定的晶圓供應(yīng)。在晶圓廠建設(shè)完成之后，月產(chǎn)能預(yù)計將高達 12.5 萬片，其規(guī)模與韓國SK Hynix現(xiàn)在的產(chǎn)能差不多。

　　目前，合肥長鑫的施工速度要比長江存儲的速度快一些，廠房正在加速建設(shè)中，預(yù)計9月完成。從產(chǎn)品的原型設(shè)計，到試量產(chǎn)仍需要一年多的時間，加上產(chǎn)能的提升，預(yù)計2019年2月才能實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2019年底有望實現(xiàn)12.5萬片的月產(chǎn)能。

　　5、三星西安廠有望擴產(chǎn)，傳9月動工

　　三星電子早在2012年宣布在陜西西安設(shè)立三星半導(dǎo)體西安工廠，工廠建設(shè)初期所投入23億美元資金，并計劃將在數(shù)年間對工廠階段性地分批投資70億美元。

　　根據(jù)計劃，三星電子計劃分三期建設(shè)完成，一期投資的12英寸閃存芯片項目在西安高新區(qū)開工奠基，到2013年年底達到設(shè)計產(chǎn)能后，每月可生產(chǎn)NAND閃存芯片10萬片。

　　2014年首次啟動的西安工廠，是三星3D V-NAND的核心生產(chǎn)基地。相關(guān)人士表示，啟動不到2年的西安工廠，如以晶圓投入基準(zhǔn)來看，已逼近每月10萬片水準(zhǔn)，產(chǎn)量大大超過原本預(yù)估的6萬~7萬片水準(zhǔn)。

　　2017年5月，三星電子正在考慮擴大西安工廠的產(chǎn)能，但具體細節(jié)還未確定，包括可能的投資規(guī)模以及新增產(chǎn)能將用于生產(chǎn)哪些產(chǎn)品。消息人士透露，三星與西安政府正進行協(xié)商最后階段，很可能在9月動工。目前，三星西安廠現(xiàn)有第一產(chǎn)線是在2014年興建，月產(chǎn)12萬片NAND內(nèi)存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線，產(chǎn)量將達20萬片。

　　6、聯(lián)電廈門12寸晶圓廠切入28納米，Q3量產(chǎn)

　　2015年3月晶圓代工廠聯(lián)電與廈門市政府、福建省電子信息集團合資成立晶圓廠聯(lián)芯集成電路開始動工，并在同年11月宣布，廈門12寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路制造(廈門)開始營運，這是首座兩岸合資12寸晶圓廠，投資金額將達到62億美元。

　　據(jù)悉，聯(lián)芯集成電路12寸廠于2014年底籌建，2016年12月試生產(chǎn)。初期將投入40/55納米晶圓代工，月產(chǎn)能可達6000片12寸約當(dāng)晶圓的數(shù)量，后逐步過渡到最先進的28納米，鎖定通訊、信用卡、銀聯(lián)卡等芯片應(yīng)用。

　　2017年5月，聯(lián)芯在聯(lián)電的協(xié)助下，28納米制成初期投產(chǎn)的良率高達94%，顯示了聯(lián)電在28納米制程技術(shù)上的穩(wěn)定性。目前，聯(lián)芯有40納米的月產(chǎn)能達6000片，2017年年底前月產(chǎn)能將拉高至1.6萬片。

　　目前，聯(lián)電的先進制程技術(shù)已前進至14納米，轉(zhuǎn)投資的廈門聯(lián)芯也已獲準(zhǔn)切入28納米。聯(lián)電財務(wù)長劉啟東表示，聯(lián)芯引進28納米制程之后，本季投產(chǎn)5000片，預(yù)計第3季產(chǎn)出，主要是供應(yīng)大陸客戶通訊應(yīng)用所需，后續(xù)規(guī)劃今年底前再增5000片設(shè)備裝機，明年初投產(chǎn)后，估計明年中會開始有產(chǎn)出。后續(xù)聯(lián)芯產(chǎn)能擴增到2.5萬片的部分，會以28納米為主，但擴產(chǎn)時程未定。

　　7、英特爾大連NAND Flash廠今年實現(xiàn)增資擴建

　　2015年10月20日，英特爾宣布與大連政府配合，將原先以 65 納米制程生產(chǎn)處理器芯片的中國大連廠，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的 3D NAND Flash 芯片，總投資金額高達 55 億美元。據(jù)英特爾投資金額與大連廠的產(chǎn)能建置來評估，每個月至少可布建 30,000-40,000 片的 3D-NAND Flash。

　　英特爾大連工廠2007年奠基，2010年正式投產(chǎn)。2015年決定增加投資55億美元對英特爾大連工廠進行升級改造，打造世界最先進的非易失性存儲設(shè)備制造基地。2016年7月，升級改造工程實現(xiàn)提前投產(chǎn)。大連工廠是英特爾在全球首個使用300毫米晶圓領(lǐng)先生產(chǎn)技術(shù)的NVRAM產(chǎn)品集成電路制造中心。

　　2017年5月，英特爾公司在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司正式發(fā)布DC P4500及P4600系列兩款世界領(lǐng)先的采用3D NAND技術(shù)的全新數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤新產(chǎn)品，并宣布將對英特爾大連工廠進一步增資擴建。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設(shè)計，可應(yīng)用于軟件定義存儲及融合式基礎(chǔ)設(shè)施，代表著世界領(lǐng)先水平，標(biāo)志著大連市集成電路產(chǎn)業(yè)躍上新高度，為大連成長為世界級的存儲制造中心奠定了基礎(chǔ)。

　　8、福建晉華12寸DRAM廠，最快明年9月投產(chǎn)

　　2016年5月，福建晉江與福建省晉華集成電路(集成電路)公司簽約合作的12寸廠，負(fù)責(zé)DRAM的技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)的工作，最快2018年9月正式投產(chǎn)。

　　福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華公司)是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，是國家大基金積極布局的戰(zhàn)略項目。晉華項目總投資 370 億元(約53億美元)，已納入國家十三五集成電路重大項目清單，并得到第一筆 30 億元國家專項資金支持，將通過引進臺灣和全球技術(shù)、人才、資源，打造中國第一個自主技術(shù)的內(nèi)存制造項目及 12 吋晶圓廠，爭取 3-5 年內(nèi)在國內(nèi)主板上市。

　　據(jù)悉，福建省晉華12寸新廠初期將導(dǎo)入32納米制程，預(yù)期在2018年9月開始試產(chǎn)，規(guī)劃每月 6 萬片 12 吋晶圓產(chǎn)能，投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷售，預(yù)計2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴大至3萬片。項目投產(chǎn)后，預(yù)計員工數(shù)將達 4000 多名。

　　2017年2月，聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤出任福建晉華集成電路總經(jīng)理，聯(lián)電表示，陳正坤將協(xié)助晉華建廠，力爭今年10月底完成FAB廠房主體結(jié)構(gòu)，最快2018年9月正式投產(chǎn)。2017年4月~6月晉華已計劃推出R&D迷你產(chǎn)線，以實現(xiàn)每月5000片的產(chǎn)能。

　　9、臺積電南京12寸晶圓廠開工，7nm 年內(nèi)tape out

　　2016年3月28日，臺積電與南京市政府共同簽訂投資協(xié)議書，確立將以總投資額30億美元在南京市成立100%持股的臺積電(南京)有限公司，該公司下設(shè)一座12吋晶圓廠及一個設(shè)計服務(wù)中心。

　　臺積電在南京市的12吋晶圓廠位于南京市浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，該廠規(guī)劃月產(chǎn)能為2萬片12吋晶圓，預(yù)計于2018年下半年開始生產(chǎn)16納米制程，2019年規(guī)劃產(chǎn)能全部達產(chǎn)。這是繼聯(lián)電、力晶之后，臺灣赴大陸設(shè)立的第三座12寸晶圓廠，也是臺積電在大陸第一座12吋晶圓廠。

　　業(yè)界預(yù)計，臺積電南京廠投產(chǎn)后，臺積電芯片的全球占有率將由55%增至57%;臺積電的30億美元投資，將帶動超過300億美元的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　2017年3月，臺積電南京有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球表示，臺積電7納米預(yù)計2017年下半將為客戶tape-out生產(chǎn)。此外，他透露EUV最新曝光機臺在臺積電已經(jīng)可以達到連續(xù)3天穩(wěn)定處理超過1500片12吋晶圓。臺積電南京廠預(yù)計2017下半年就要移入生產(chǎn)機臺;2018上半年試產(chǎn)，2018下半年正式投入量產(chǎn)。

　　10、英特爾15億美元入股紫光展銳，持股占比20%

　　2014年9月26日，英特爾和紫光集團今天共同宣布，雙方已簽署一系列協(xié)議，英特爾同時將向紫光旗下持有展訊通信和銳迪科微電子的控股公司投資人民幣90億元(約15億美元)，并獲得20%的股權(quán)。

　　雙方稱，上述協(xié)議旨在通過聯(lián)合開發(fā)基于英特爾架構(gòu)和通信技術(shù)的手機解決方案，在中國和全球市場擴展英特爾架構(gòu)移動設(shè)備的產(chǎn)品和應(yīng)用。

　　2017年2月，雙方深度合作的首款芯片SC9861G-IA正式問世。展訊推出14nm八核64位LTE SoC芯片平臺SC9861G-IA，采用英特爾14納米制程工藝，內(nèi)置英特爾Airmont處理器架構(gòu)，具備高效的移動運算性能和超低功耗管理，將為終端用戶帶來旗艦級的用戶體驗。英特爾從工藝制程到芯片架構(gòu)給予了大力支持，期待展訊充分利用英特爾在工藝和應(yīng)用上的優(yōu)勢，在市場競爭中抓住機會。

　　11、中芯國際收購意大利8寸晶圓代工廠LFoundry 70%股權(quán)

　　2016年6月24日，中芯國際、LFoundry Europe GmbH與Marsica Innovation S.p.A.共同宣布，三方簽訂協(xié)議，中芯國際將出資4900萬歐元(約5680萬美元)，收購由LFE以及MI控股的意大利集成電路晶圓代工廠LFoundry 70%的股份。

　　此次收購使中芯國際和LFoundry雙方受益，不僅提高了聯(lián)合產(chǎn)能，擴大整體技術(shù)組合，更能幫助中芯國際拓展在汽車電子市場的機會。據(jù)悉，2016年中芯國際12寸月產(chǎn)能達6.25萬片，8寸月產(chǎn)能達16.2萬片，折合8寸晶圓產(chǎn)能每月約30.26萬片。LFoundry的8英寸晶圓產(chǎn)能為每月4萬片，交易完成后 ，幫助中芯國際的整體產(chǎn)能提升約 13% ，有助于提高對客戶產(chǎn)能支援的靈活性，為中芯國際和 LFoundry帶來更多的商機 。

　　LFoundry致力于汽車電子、安全及工業(yè)應(yīng)用，包括CIS、智能電力、輕觸式顯示屏及嵌入式存儲器等，這是中國內(nèi)地集成電路晶圓代工業(yè)首次成功布局跨國生產(chǎn)基點，中芯國際不僅在政策收緊前完成了此次收購，還憑借此項收購正式進駐全球汽車電子市場，實現(xiàn)在技術(shù)、產(chǎn)品、人才和市場方面的優(yōu)勢互補。