臺(tái)積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光(EUV)微影設(shè)備
極紫外光(EUV)微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項(xiàng)每臺(tái)要價(jià)高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備,由荷商ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng),目前主要買家全球僅臺(tái)積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201708/363413.htmEUV設(shè)備賣價(jià)極高,原因是開發(fā)成本高,因此早期ASML為了分?jǐn)傞_發(fā)風(fēng)險(xiǎn),還特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星和英特爾三大廠入股,但隨著開發(fā)完成,臺(tái)積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票,也獲利豐碩。
有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤(rùn)式曝光機(jī),是在光源與晶圓中間加入水的原理,使波長(zhǎng)縮短到193/132nm的微影技術(shù),EUV微影設(shè)備是利用波長(zhǎng)極短的紫外線,在硅晶圓上刻出更微細(xì)的電路圖案。
ASML目前EUV年產(chǎn)能為12臺(tái),預(yù)定明年擴(kuò)增至24臺(tái)。該公司宣布2017年的訂單已全數(shù)到手,且連同先前一、二臺(tái)產(chǎn)品,已出貨超過20臺(tái);2018年的訂單也陸續(xù)到手,推升ASML第2季營(yíng)收達(dá)到21億歐元單季新高,季增21%,每股純益1.08歐元,股價(jià)也寫下歷史新高。
因設(shè)備昂貴,且多應(yīng)用在7nm以下制程,因此目前有能力采購(gòu)者,以三星、臺(tái)積電、英特爾和格羅方德為主要買家。三星目前也是最大買主,估計(jì)采購(gòu)逾十臺(tái),將裝設(shè)于南韓華城的18號(hào)生產(chǎn)線(Line18)全力搶占晶圓代工版圖。
由于極紫外光可大幅降低晶圓制造的光罩?jǐn)?shù),縮短芯片制程流程,是晶圓制造邁入更先進(jìn)的利器。
在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后,讓EUV輸出率獲得快速提升,臺(tái)積電決定在7nm強(qiáng)化版提供客戶設(shè)計(jì)定案,5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。
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