半導(dǎo)體制程在創(chuàng)造力與技術(shù)進步下不斷突破

作者/ 王瑩 《電子產(chǎn)品世界》編輯

編者按：我國的集成電路制造業(yè)正迎來大發(fā)展時代。世界芯片制造的現(xiàn)狀與未來方向如何?我國晶圓制造的特點是什么?

摩爾定律催生制程和封裝的進步

　　問：近幾年人們常談?wù)撃柖?，?dān)憂是否會走到頭，您怎么看?

　　答：在過去幾十年里，摩爾定律只做了一件事，就是線寬微縮。目前來看，線寬微縮的速度減慢了。但摩爾定律的實質(zhì)是指半導(dǎo)體行業(yè)每隔18~24個月會進一步，只不過在過去幾十年里，這個進步是由簡單的線寬微縮來實現(xiàn)的。到今天，線寬的微縮變得越來越困難，因此，為了實現(xiàn)性能的提高，人們采取了各種各樣的創(chuàng)新辦法。主要是三個大方向，晶體管的結(jié)構(gòu)、存儲器的平面到縱向、封裝的結(jié)構(gòu)。

　　邏輯芯片的晶體管從平面變成立體的FinFET，再往前，可能FinFET也不夠了，需要納米線。

　　而在存儲器方面，以前的存儲器是平房，現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)人住不下了，就蓋樓，從32層、42層，到64層，現(xiàn)在大家都在談要做96層和128層。以前覺得128層怎么做得出來?現(xiàn)在大家覺得可以做了。

泛林集團副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯博士

　　封裝的立體化是指，原來我們在凸塊上植球，形成銅柱，現(xiàn)在還可以在上面布線，布線意味著可以將兩塊芯片疊在一起，增加功能，是一種SIP(堆疊封裝)集成。

　　所以，線寬微縮可能會慢下來，但人的創(chuàng)造性無限，我相信技術(shù)會一直進步。

　　問：微縮工藝的下一步期望是什么?

　　答：從現(xiàn)在的技術(shù)路線圖，我們在邏輯方面，從7納米、5納米到3納米，大家已經(jīng)看到3納米了，雖然沒有把它做出來，但是已經(jīng)看到怎么做了。

　　實際上，從技術(shù)角度，解決方案都有，問題是要花多少成本/代價去實現(xiàn)它，這就變成摩爾定律成本的經(jīng)濟學(xué)考量，要把成本降低到大家都能接受的程度。在可預(yù)見的將來，這是有可能發(fā)生的。例如3D NAND閃存，現(xiàn)在我們在講128層，但現(xiàn)在也有新技術(shù)出現(xiàn)。大家都在思考，去解決立體堆疊可能走到盡頭的問題。

多重曝光與EUV光刻

　　問：半導(dǎo)體制程的挑戰(zhàn)是什么?

　　答：提到摩爾定律向前的進步，是把晶體管越做越小。那么怎樣把小晶體管做出來呢?這種工藝一般叫作光刻工藝，就是在光刻時遮擋住一部分，其他的通過刻蝕拿掉。由于目前用的光的波長比較長，就很難把尺寸做得非常小，就像近視的人要想看得更清楚，就要想別的辦法。一種辦法是用EUV(極深紫外)使波長變得更短，但這項技術(shù)非常貴(約1億歐元)，而且不成熟。

　　第二種辦法是通過創(chuàng)新性的方法來做。不就是為了把這條線刻出來嗎?刻這條線的時候也不一定非要留著它，所以現(xiàn)在的辦法就是多重曝光技術(shù)。比如想做兩條很細的線，但是曝光不出來這條線，所以就先曝光一條比較粗的線，例如先曝光一條20納米的線，在兩邊各沉積5納米的“墻”，隨后把中間的20納米拿掉，就剩下“墻”，就這樣得到了5納米的線。

　　這種方法有一個特點，首先對淀積的要求非常高，以前光刻機對均勻度要求沒那么高，比較容易達到?？墒悄阕龆嘀仄毓獾矸e的時候，因為是一次性做出來的，所以對均勻度要求就更高了?！皦Α笔?納米，如果做成5.5納米，“墻”就厚了。因此設(shè)備對均勻度的要求非常高。同樣，刻蝕的均勻度要求也非常高，怎么做到呢?首先是腔體設(shè)計方面，刻蝕采用等離子體，它就是一個氣流，氣流的均勻度要求非常高，晶圓的中間和邊緣要非常一致。因此，在晶圓腔體的設(shè)計上要做很多計算機的模擬，以把氣流均勻做好。

　　第二，還不能往下掉東西，這樣會影響良率。因此，對腔體的缺陷會有嚴格的控制。缺陷怎么來的呢?一方面等離子體會轟擊腔體的墻壁;第二，在刻蝕過程中，有一些副產(chǎn)品會淀積在上面，因此之后會再用等離子體把副產(chǎn)物去掉;腔體底下還有一個閥門，過程中不能產(chǎn)生粉塵，所以這是非常復(fù)雜的過程。傳統(tǒng)上，過去幾十年來，人們一直通過腔體設(shè)計逐步做改善，到現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)它已經(jīng)快走到瓶頸。以前的技術(shù)是被動的，比如引入氣流去調(diào)節(jié)，現(xiàn)在變成主動的，溫度高了以后就把它降下來，這是一項革命性的技術(shù)。例如可以通過調(diào)整，做到更好的均勻度。這是從刻蝕來看的一個進步。

　　類似在淀積、刻蝕、金屬鎢方面的進步還有很多。在金屬鎢淀積方面，就像你打一口10米深的井，下雪后，雪很難把井填完?，F(xiàn)在技術(shù)已變得很容易。但進一步，打井不算，井下還有橫著跑的地道，豎著橫著都得填滿。泛林集團(Lam Research)今天非常擅長這項技術(shù)，在金屬鎢淀積是99.7%的市場占有率。

　　問：您一直在講沉積和刻蝕，是不是可以用這兩項技術(shù)結(jié)合來替代EUV光刻做不到的技術(shù)?

　　答：是的。通過這種方法可以突破目前光學(xué)分辨率的極限。目前14納米的FinFET基本都要用這項技術(shù)。

　　問：何時會用到EUV光刻?

　　答：從技術(shù)角度看，本來希望在十幾納米制程就用到，但因為技術(shù)出不來，所以就改用多重曝光?，F(xiàn)在大家都認為在7納米時可以使用，當(dāng)然不是全面應(yīng)用，而是在某些特定的地方已經(jīng)開始使用?？梢姡珽UV引進的時間與原來希望的相比已經(jīng)晚了很多。

　　問：晶圓設(shè)備市場有多大?

　　答：晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體芯片和整個電子產(chǎn)業(yè)呈倒三角關(guān)系。據(jù)中國工業(yè)和信息化部電子科技情報研究所、社科文獻出版社發(fā)布的工業(yè)和信息化的藍皮書稱，全球電子行業(yè)整體約有價值兩萬億美元的市場規(guī)，而這其中，半導(dǎo)體集成電路行業(yè)占到了約3400億美元的規(guī)模，即17%左右的份額。在這17%份額中，用于晶圓廠設(shè)備的大約有340億美元，但因為市場一直在變化，比如今年設(shè)備業(yè)發(fā)展非?？?，可能會超過400億美元。

中國制造市場

　　問：現(xiàn)在中國的半導(dǎo)體業(yè)正蓬勃發(fā)展，您對此有何看法和建議?

　　答：一個行業(yè)需要腳踏實地地做起來，政府有《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》來推動行業(yè)發(fā)展是非常好的，一方面咱們國家確實非常需要這個行業(yè)的發(fā)展;另一方面，半導(dǎo)體行業(yè)的投入巨大，如果沒有政府主動推動，讓它自然地發(fā)展是很困難的。事實也證明，自從2014年6月“綱要”發(fā)布至今，國內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展這么快，主要原因就是政府推動的結(jié)果。

　　第二，半導(dǎo)體的特點是每個環(huán)節(jié)都不能偏廢，不能只做成熟的，或只做最先進的，其他的不做。既要兼顧最高精尖的技術(shù)發(fā)展，同時也要兼顧到市場的需求。對于國內(nèi)企業(yè)來說，成熟技術(shù)可能挺多的，高精尖的部分有，但現(xiàn)在還沒有做到，例如臺積電開始做10納米了，7納米也要出爐了，那一塊的市場國內(nèi)還沒有得到。所以我們要把缺失的部分趕上去，政府可以在其中起到助力。對于成熟的部分，市場就可以起到相當(dāng)大的推動作用。

　　問：國內(nèi)也有一些半導(dǎo)體設(shè)備商，您怎么看競爭?

　　答：從行業(yè)看，我們永遠歡迎大家都來參與到這個行業(yè)里;另外，有競爭才有發(fā)展。在高技術(shù)方面，我們更多的競爭是與一些國際大廠;在國內(nèi)，在一些非核心、非關(guān)鍵的層次上有競爭。

　　實際上，競爭在任何一個行業(yè)都永遠存在，競爭讓我們進步。我們能做的，不是喜歡或者不喜歡競爭，而是把我們的本業(yè)做好，把我們的客戶照顧好。

　　例如國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)層面比國際最領(lǐng)先的企業(yè)往往還有一些差距，在存儲器方面剛起步。但是差距不是你想趕就能趕上的，需要很多具體的技術(shù)和細致的工作基礎(chǔ)。而泛林與全球先進的企業(yè)有合作關(guān)系，在這個過程中也積累了非常多的經(jīng)驗，在跟國內(nèi)客戶合作的過程中，可以把經(jīng)驗和價值帶到合作關(guān)系中來。相信這種合作能夠加快客戶公司的技術(shù)發(fā)展，盡快減少差距，迎頭趕上，并為客戶帶來價值。

　　本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第9期第1頁，歡迎您寫論文時引用，并注明出處。