格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計算密集型處理需求的應用。

　　這項全新的12LP技術(shù)與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)利用了格芯在紐約薩拉托加縣Fab 8的專業(yè)技術(shù)，該工廠自2016年初以來，一直在大規(guī)模量產(chǎn)格芯的14納米 FinFET平臺。

　　“世界正在處于向智能互聯(lián)時代轉(zhuǎn)型之中，這是一個前所未有的趨勢?！备裥臼紫瘓?zhí)行官桑杰·賈(Sanjay Jha)表示，“全新的12LP技術(shù)以更高的性能和密度幫助我們的客戶在系統(tǒng)層面上繼續(xù)創(chuàng)新，包括實時連接以及從高端圖像處理、汽車電子到工業(yè)應用等邊緣處理。”

　　“我們很高興能進一步拓展與格芯長期以來的合作關(guān)系，成為他們?nèi)?2LP技術(shù)的主要客戶，” AMD首席技術(shù)官及技術(shù)與工程高級副總裁Mark Papermaster表示，“2017年，得力于我們與格芯的深度合作，AMD使用14納米 FinFET技術(shù)將一系列領(lǐng)先的高性能產(chǎn)品推向市場。我們很高興能與格芯在全新12LP工藝技術(shù)上進行合作，這也是我們加速產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的一部分?！?/p>

　　除了晶體管級的增強，12LP平臺還將包括專為業(yè)內(nèi)增長最快的兩個領(lǐng)域——汽車電子和射頻/模擬應用而設(shè)計的面向市場的全新功能。

　　· 汽車安全和自動駕駛方面的新興汽車應用對于處理功耗和極致可靠性都有極高要求。12LP平臺兼具這兩種功能，并計劃于2017年第四季度在Fab 8進行汽車二級資格認證。

　　· 新射頻特性拓展了12LP平臺在6GHz以下無線網(wǎng)絡(luò)中的高級收發(fā)器等射頻/模擬應用。/ 12LP為以數(shù)字邏輯為主，射頻/模擬內(nèi)容較少的射頻芯片架構(gòu)提供最佳邏輯和內(nèi)存微縮。

　　格芯的全新12納米 FinFET技術(shù)是現(xiàn)有12納米FD-SOI產(chǎn)品12FDXTM的補充。雖然有些應用要求FinFET晶體管的卓越性能，但許多連接設(shè)備需要高度的集成，以及更靈活的性能和功耗，而這是FinFET無法實現(xiàn)的。12FDX為下一代智能互聯(lián)系統(tǒng)提供了一種替代路徑，實現(xiàn)了10納米 FinFET的性能，且比當前代FinFET產(chǎn)品功耗更低，成本更低，射頻集成更優(yōu)。