三星宣布11nm新工藝：7nm全面上極紫外光刻

　　Intel雖然一再?gòu)?qiáng)調(diào)自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標(biāo)稱10nm，自己要比三星、臺(tái)積電的領(lǐng)先整整一代，但是沒(méi)辦法，人家的腳步要快得多。

　　今天，三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認(rèn)未來(lái)7nm工藝將上EUV極紫外光刻。

　　三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工藝)，可以大大縮小芯片面積，另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。

　　三星于2016年10月投產(chǎn)10LPE(10nm Low Power Early)，并已準(zhǔn)備好即將投產(chǎn)10LPP(10nm Low Power Plus)，主要為智能手機(jī)制造芯片，14nm工藝則針對(duì)主流、低功耗和緊湊型芯片。

　　下一步，三星還會(huì)增加14LPU、10LPU版本。

　　11LPP工藝將填補(bǔ)三星14nm、10nm之間的空白，號(hào)稱可在同等晶體管數(shù)量和功耗下比14LPP工藝提升15%的性能，或者降低10%的功耗，另外晶體管密度也有所提高。

　　三星計(jì)劃2018年上半年投產(chǎn)11LPP工藝。

　　未來(lái)，三星還一路準(zhǔn)備了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工藝，其中7nm 7LPP版本會(huì)全面融合EUV極紫外光刻，確認(rèn)2018年下半年試產(chǎn)。

　　另有報(bào)道稱，在那之前的明年上半年，三星會(huì)首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV。

　　三星表示，2014年以來(lái)，已經(jīng)使用EUV技術(shù)處理了接近20萬(wàn)塊晶圓，取得了豐碩成果，比如256Mb SRAM的良品率達(dá)到了80%。