臺積電欲建全球首個3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲？

　　10月7日，芯片代工廠臺積電宣布選址南科臺南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺積電董事長張忠謀透漏，臺積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè)，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠。

　　2016年末至2017年初，三星與臺積電先后推出10nm制程工藝，穩(wěn)占手機(jī)芯片市場80%以上的市場份額。在這場角斗中，英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢，錯失了市場先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺積電，但是對于整體市場來說，并沒有太大影響。

　　臺積電面臨的局勢

　　臺積電主要客戶為蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、NVDIA以及華為海思等，3nm晶圓廠的建設(shè)對于其客戶來說無疑是一大喜訊，但對于競爭對手三星與英特爾來說將是巨大的壓力。目前三星以及英特爾都將重點(diǎn)放在7nm制程工藝上，畢竟未來一年誰先推出7nm制程工藝誰便可在市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。

　　從臺積電的這場大動作中我們不難看出，半導(dǎo)體芯片制程工藝之爭，已經(jīng)愈發(fā)激烈，誰都不希望錯失市場先機(jī)。2016年整體業(yè)績顯示，臺積電的凈利潤率約為35.3%，英特爾的凈利潤率約為17.3%，聯(lián)發(fā)科凈利潤率約為8.7%，而眾多芯片企業(yè)則希望三星加入競爭，以降低臺積電代工的價格。

　　在三星展開強(qiáng)勢攻擊后，臺積電不得不降低代工成本，同時加快制程工藝的研發(fā)，這也是臺積電急切建設(shè)3nm晶圓廠的原因之一。隨著制程工藝的提升，其制程節(jié)點(diǎn)也越來越接近物理極限，工藝難度越來越高。在與三星的長期肉搏之中，制程工藝的提升已經(jīng)走上單車道，這也是臺積電如此快速上馬3nm圓晶廠的原因。

　　臺積電雙首長制

　　此前，張忠謀曾宣布，將于明年6月退休，由魏哲家擔(dān)任總裁、劉德音出任董事長，這種制度被外界戲稱為“雙首長制”，也被外界一直認(rèn)為這是張忠謀離任前的“最后貢獻(xiàn)”。

　　對于管理方面，張忠謀表示，他們倆具有很強(qiáng)的互補(bǔ)作用，一加一大于二。在之前的業(yè)績考核中，魏哲家與劉德音則分別負(fù)責(zé)蘋果與高通公司方面的業(yè)務(wù)，結(jié)果高通不久便將業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向三星，臺積電也痛失一大客戶。對于這個問題，主要還是代工成本未談攏，而對于劉德音的能力，張忠謀則是極為看重的。

　　作為臺積電的創(chuàng)始人，張忠謀所有的心血幾乎全部傾注于臺積電上，對于臺積電的未來，他也有自己的打算。分權(quán)執(zhí)掌并非壞事，這樣也可以避免獨(dú)立專行，從長遠(yuǎn)角度來看，如果兩人未來配合順利，臺積電的業(yè)績與利潤將更上一籌。

　　臺積電的布局

　　目前，在高端芯片制造領(lǐng)域，主要還是英特爾、臺積電和三星幾家企業(yè)。雖然中國大陸加大了半導(dǎo)體領(lǐng)域投資，國內(nèi)企業(yè)也正在沖刺28nm以及14nm技術(shù)。但總體而言，與英特爾、臺積電和三星還有很大的差距。

　　張忠謀曾表示，中國大陸芯片代工企業(yè)技術(shù)不成熟，相比臺積電還有很大差距。對此，主要原因還是國內(nèi)代工企業(yè)沒有核心技術(shù)，而此前國內(nèi)芯片代工企業(yè)采取的并購措施也多受限制，這對于發(fā)展較晚的國內(nèi)各大代工企業(yè)來說，無疑雪上加霜。對于英特爾、三星與臺積電之間的“明爭暗斗”，很多時候都只能“坐山觀虎斗”。

　　在與其他廠商競爭中，三星14/16nmFinFET、10nm工藝均領(lǐng)先于臺積電量產(chǎn)。為此，高通驍龍820、驍龍835、驍龍625和驍龍660等訂單全部被三星奪得。而在7nm工藝方面，三星EUV技術(shù)似乎也走在了臺積電的前面。這對于臺積電而言無疑是非常不利的，更何況還有另外一個強(qiáng)大的對手英特爾。

　　在此背景下，臺積電3nm晶圓廠的建設(shè)就不難理解了，這也是張忠謀離任前為臺積電未來定下的一大戰(zhàn)略基調(diào)。