三星半導(dǎo)體資本支出超過英特爾和臺(tái)積電的總和達(dá)到260億美元

　　預(yù)計(jì)三星今年的資本支出將達(dá)到260億美元，超過英特爾和臺(tái)積電的總和。

　　ICInsights已經(jīng)修改了半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出預(yù)估，本月底將會(huì)發(fā)布新的報(bào)告。ICInsights最新的預(yù)測(cè)顯示，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長(zhǎng)35%，達(dá)到908億美元。

　　去年，三星在半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出為113億美元，預(yù)計(jì)2017年該業(yè)務(wù)支出將翻一番達(dá)到260億美元。ICInsights總裁BillMcClean表示：“在我關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的37年里，從沒見過今年如此猛烈的半導(dǎo)體資本支出增長(zhǎng)勢(shì)頭。今年三星在半導(dǎo)體行業(yè)的巨額開支是史無前例的。”

　　圖1顯示了自2010年以來三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的資本投入情況，這一年也是該公司第一次在半導(dǎo)體資本支出上超過100億美元。在2016年投入113億美元之后，預(yù)計(jì)今年的資本支出激增比例讓人驚訝。

　　三星的開支計(jì)劃到底有多么兇猛?ICInsights預(yù)計(jì)，三星2017年第四季度的半導(dǎo)體資本支出為86億美元，將占到整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的33%(整個(gè)行業(yè)第四季度支出預(yù)計(jì)達(dá)到262億美元)。同時(shí)，三星在第四季度的半導(dǎo)體銷售額占整個(gè)行業(yè)的16%左右。

　　ICInsight預(yù)估的三星今年260億美元半導(dǎo)體資本支出分為以下幾個(gè)部分：

　　3DNANDflash：140億美元(包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長(zhǎng))

　　DRAM：70億美元(為了彌補(bǔ)因遷移而造成的產(chǎn)能損失)

　　代工/其他：50億美元(用于提升10納米制程能力)

　　ICInsights認(rèn)為，今年三星的巨額支出將對(duì)未來產(chǎn)生很大影響，3DNAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩情況，這種產(chǎn)能過剩一方面是因?yàn)槿窃?DNAND閃存市場(chǎng)的巨額投資，另一方面如SK海力士、美光、東芝、英特爾等公司對(duì)這一細(xì)分市場(chǎng)的投資激增導(dǎo)致。從某種程度上來說，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手必須提高產(chǎn)能否則將失去部分市場(chǎng)份額。

　　三星的投資熱預(yù)計(jì)也成為中國(guó)3DNAND閃存或DRAM相關(guān)企業(yè)的噩夢(mèng)，此前ICInsights一直對(duì)中國(guó)初創(chuàng)企業(yè)對(duì)抗諸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技術(shù)持懷疑態(tài)度。如今三星在資本支出上的瘋狂成了自己市場(chǎng)地位的保證，如果中國(guó)企業(yè)不能和現(xiàn)有的大型存儲(chǔ)進(jìn)行合作，那么未來很難有更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。