4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET

　　晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱(chēng)，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來(lái)似乎較占上風(fēng)。

　　Android Authority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來(lái)到極限，無(wú)法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(zhǎng)更短的EUV， 才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競(jìng)賽搶先起跑，可望加快發(fā)展速度。

　　相較之下，臺(tái)積電和格羅方德的第一代7nm制程，仍會(huì)使用傳統(tǒng)的浸潤(rùn)式微影技術(shù)，第二代才會(huì)使用EUV。

　　制程微縮除了需擁抱EUV，也需開(kāi)發(fā)FinFET技術(shù)接班人。 晶體管運(yùn)作是靠閘極(gate)控制電流是否能夠通過(guò)，不過(guò)芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來(lái)FinFET恐怕不敷使用，不少人認(rèn)為「閘極全環(huán)場(chǎng)效晶體管」( Gate-all-around FET，GAAFET)是最佳解決方案。

　　今年稍早，三星、格芯和IBM攜手，發(fā)布全球首見(jiàn)的5nm晶圓技術(shù)，采用EUV和GAAFET技術(shù)。 三星路徑圖也估計(jì)，F(xiàn)inFET難以在5nm之后使用，4nm將采用GAAFET。 盡管晶圓代工研發(fā)不易，容易遇上挫折延誤，不過(guò)目前看來(lái)三星進(jìn)度最快。 該公司的展望顯示，計(jì)劃最快在2020年生產(chǎn)4nm，進(jìn)度超乎同業(yè)，也許有望勝出。