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          臺(tái)積電7nm制程再奪博通AI芯片大單

          作者: 時(shí)間:2018-01-22 來(lái)源:集微網(wǎng) 收藏
          編者按:對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō),7nm是今年?duì)I運(yùn)重頭戲,預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)能今年中完成建置后,投片量會(huì)在第2季后快速拉升。

            博通推出已獲硅認(rèn)證(silicon-proven)的7納米IP核,將以特殊應(yīng)用芯片(ASIC)搶攻當(dāng)紅的人工智能(AI)、5G及高寬帶網(wǎng)絡(luò)等市場(chǎng)。 博通為客戶打造的7納米ASIC去年底完成設(shè)計(jì)定案,博通也說(shuō)明將把7納米ASIC晶圓代工及CoWoS封裝訂單交由負(fù)責(zé)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201801/374713.htm

            制程領(lǐng)先同業(yè),繼業(yè)界傳出蘋果新一代A12應(yīng)用處理器、AMD新一代Vega繪圖芯片、高通新一代Snapdragon手機(jī)芯片等,均將采用制程投片外, 博通也確定將采用臺(tái)積電7納米制程打造ASIC平臺(tái),搶進(jìn)需求強(qiáng)勁的AI及高速網(wǎng)絡(luò)等市場(chǎng)。

            博通基于臺(tái)積電制程打造ASIC平臺(tái),并宣布領(lǐng)先業(yè)界推出7nm制程硅認(rèn)證的IP核,其中包括高速序列串行解串器(SerDes)、第二代及第三代高帶寬內(nèi)存物理層(HBM Gen2/Gen3 PHY)、 芯片堆棧物理層(Die2Die PHY)、混合訊號(hào)及基礎(chǔ)型硅智財(cái)?shù)取?至于ASIC平臺(tái)處理器核心則采用ARM核心及外圍IP核。

            博通的7納米ASIC除了鎖定深度學(xué)習(xí)等AI應(yīng)用,以及搶進(jìn)高效能運(yùn)算(HPC)芯片市場(chǎng)外,也將采用臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)將HBM Gen2/Gen3等內(nèi)存直接整合在芯片當(dāng)中。 至于高速SerDes IP核則有助于打造高速交換器或路由器應(yīng)用芯片,以及完成支持5G高速及寬帶網(wǎng)絡(luò)的系統(tǒng)單芯片。 博通表示,為主要前期客戶打造的7納米ASIC在去年底已完成設(shè)計(jì)定案。

            對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō),7nm是今年?duì)I運(yùn)重頭戲,預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)能今年中完成建置后,投片量會(huì)在第2季后快速拉升。 臺(tái)積電共同CEO魏哲家在上周法人說(shuō)明會(huì)指出,臺(tái)積電7納米已有10款芯片完成設(shè)計(jì)定案,第2季后將可進(jìn)入量產(chǎn)階段,而第1季預(yù)估還會(huì)有另外10款7納米芯片完成設(shè)計(jì)定案,今年底7納米芯片設(shè)計(jì)定案數(shù)量將超過(guò)50個(gè), 主要應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備、游戲、中央處理器、可程序邏輯門陣列(FPGA)、網(wǎng)通及AI等。

            臺(tái)積電預(yù)期今年上半年以美元計(jì)算營(yíng)收將較去年同期成長(zhǎng)略高于15%,下半年?duì)I收將較去年同期成長(zhǎng)略低于10%。 業(yè)界表示,以臺(tái)積電第1季預(yù)估營(yíng)收將介于84~85億美元情況來(lái)計(jì)算,第2季營(yíng)收表現(xiàn)將略低于第1季達(dá)83~84億美元,而第3季開(kāi)始認(rèn)列7nm營(yíng)收后,營(yíng)收可望跳增至90億美元以上,不排除第4季單季營(yíng)收有上看100億美元的可能。



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