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          臺(tái)積電哽咽 高通7nm 5G芯片宣布由三星代工
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2018-02-23
				來(lái)源：快科技
				
				
				
				
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            編者按：三星在2017年10月宣布正開發(fā)介于10nm和7nm的8nm中間制程，同樣是和三星合作，看來(lái)兩者的關(guān)系未來(lái)是更鐵了。
          
            
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          　　三星在官網(wǎng)宣布，高通未來(lái)的5G移動(dòng)設(shè)備芯片將基于他們的7nm LPP工藝制造，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)會(huì)引入EUV(極紫外光刻)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201802/375944.htm
          　　2017年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工藝，同年7月，三星放言，在2018年會(huì)比對(duì)手臺(tái)積電更早地量產(chǎn)7nm。
          　　三星透露，比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝，7nm將實(shí)現(xiàn)面積縮小40%、10%的性能提升、35%的功耗下降。
          　　有趣的是，高通在本月還推出了基于7nm工藝的X24基帶，但是一款4G LTE產(chǎn)品，不知道是不是三星參與打造，畢竟在這次的新聞稿中沒有被證實(shí)。
          　　而爆料大神Roland曾表示，高通的首款7nm AP是驍龍855，似乎找不出什么理由突然讓臺(tái)積電橫插入代工。
          　　另外，三星在2017年10月宣布正開發(fā)介于10nm和7nm的8nm中間制程，同樣是和三星合作，看來(lái)兩者的關(guān)系未來(lái)是更鐵了。
          臺(tái)積電哽咽 高通7nm 5G芯片宣布由三星代工
          　　三星位于韓國(guó)華城的半導(dǎo)體工廠，圖片來(lái)自三星官網(wǎng)
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
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                        7nm
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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