格芯擴展硅光子路線圖，滿足對數(shù)據中心連接的爆炸式增長需求

　　今天，格芯揭示硅光子路線圖的新信息，推動數(shù)據中心和云應用的新一代光學互連。格芯已經用300 mm晶圓認證了行業(yè)首個90 nm制造工藝，同時宣布未來的45 nm技術將帶來更大的帶寬和能效。

　　格芯的硅光子技術旨在應對全球通信基礎設施中的大規(guī)模數(shù)據增長。不同于利用銅線電信號傳輸數(shù)據的傳統(tǒng)互連，硅光子技術使用光纖光脈沖，以更高的速度在更遠距離上傳輸數(shù)據并降低能耗。

　　“帶寬需求呈現(xiàn)爆炸式增長，現(xiàn)在迫切需要新一代的光學互連?！?nbsp;格芯ASIC業(yè)務部高級副總裁Mike Cadigan表示，“不管是數(shù)據中心內部芯片之間，還是相隔千里的云服務器之間，我們的硅光子技術都能讓客戶在前所未有的連接水平上傳送大量數(shù)據?！?/p>

　　格芯的硅光子技術可在單個硅芯片上并排集成微小光學組件與電路?！皢涡酒狈桨咐脴藴使柚圃旒夹g，提高了客戶部署光學互連系統(tǒng)的效率，降低了成本。

　　現(xiàn)在可使用300 mm晶圓

　　格芯的當代硅光子產品依托90 nm RF SOI工藝，這項工藝充分發(fā)揮了公司在制造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經驗。平臺可以實施提供30GHz帶寬的解決方案，支持客戶端數(shù)據傳輸速率達到800 Gbps，同時使數(shù)據傳輸距離增加到120 km。

　　這項技術先前使用200 mm晶圓工藝，格芯位于紐約州東菲什基爾的10號晶圓廠現(xiàn)在認證了300 mm直徑的晶圓。采用300 mm晶圓有助于提高客戶產能和生產率，讓光子損失減少2倍，擴大覆蓋范圍，實現(xiàn)效率更高的光學系統(tǒng)。

　　Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設計、極化、溫度和波長參數(shù)的完整PDK支持90 nm技術，并提供差異化光子測試能力，包括從技術認證和建模到MCM產品測試的五個測試部分。

　　未來路線圖

　　格芯新一代單芯片硅光子產品將采用45 nm RF SOI工藝，計劃于2019年投入生產。這項技術利用更先進的45 nm節(jié)點，功耗降低，體積減小，用于光學收發(fā)器產品的帶寬更高，可滿足新一代兆兆位應用。