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          臺(tái)積電火拼三星,爭(zhēng)搶7納米高地

          作者: 時(shí)間:2018-10-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          編者按:  芯片大戰(zhàn)異?;馃?隨著目前7nm工藝技術(shù)的成熟,芯片企業(yè)開(kāi)始陸續(xù)推出各自的高端芯片,未來(lái)的芯片市場(chǎng)將有如何的變化?讓我們拭目以待。

            芯片大戰(zhàn)異?;馃?隨著目前7nm工藝技術(shù)的成熟,芯片企業(yè)開(kāi)始陸續(xù)推出各自的高端芯片產(chǎn)品,比如華為的麒麟980,高通驍龍855、蘋果A12芯片都將采用最新的7nm工藝。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201810/393501.htm


          AI芯天下 | 臺(tái)積電火拼三星,爭(zhēng)搶7納米高地


            在今年召開(kāi)季度分析師會(huì)議上,7 納米技術(shù)無(wú)疑是最大亮點(diǎn),而就在同一天,勁敵電子(Samsung Electronics)宣布使用極紫外光刻技術(shù)(EUV)的 7 納米 LPP 工藝開(kāi)始生產(chǎn),踢館較勁的意味十足。

            對(duì)于的動(dòng)作,高調(diào)反擊表示,手上已有 100 個(gè) 7 納米的流片(tape-out)客戶,應(yīng)用在 AI 領(lǐng)域的高速運(yùn)算芯片占多數(shù),更重要的是,2019 年第二代采用 EUV 技術(shù)的 7 納米將貢獻(xiàn) 10 億美元營(yíng)收,完美地用客戶數(shù)量、營(yíng)收數(shù)字反擊的挑釁!

            在過(guò)去,三星是蘋果A系列處理器的代工方,但隨著臺(tái)積電的入局,蘋果的A11、A12應(yīng)用處理器都被后者“獨(dú)吞”。不僅如此,英偉達(dá)(NVIDIA)新一代GPU芯片、賽靈思(Xilinx)可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片的訂單也被臺(tái)積電收入囊中。

            但是,去年年底,有報(bào)道稱因三星無(wú)法趕在2018年年底前量產(chǎn),高通的一款數(shù)據(jù)機(jī)芯片和驍龍855處理器將由臺(tái)積電接手。

            從理論上來(lái)說(shuō)臺(tái)積電的技術(shù)是要比三星的更加成熟,目前臺(tái)積電使用的7nm工藝工藝相對(duì)比較穩(wěn)定,而三星由于之前加入EUV技術(shù)研發(fā),要在明年保證良品率量產(chǎn)難度比較大。

            從三星和臺(tái)積電公布的芯片制造技術(shù)投產(chǎn)和量產(chǎn)的時(shí)間來(lái)看,兩位競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在工藝和開(kāi)發(fā)速度方面基本保持一致。但三星一直認(rèn)為其在技術(shù)方面處于更領(lǐng)先的位置。

            根據(jù)三星公布的 7 納米 LPP 工藝,是使用光刻機(jī)大廠 ASML 的 EUV 機(jī)臺(tái)技術(shù),優(yōu)點(diǎn)是提升芯片內(nèi)的電晶體密度且降低功耗。再者,因?yàn)椴捎?EUV 技術(shù),光掩膜的層數(shù)減少,因此可縮短生產(chǎn)的時(shí)程,達(dá)到經(jīng)濟(jì)規(guī)模后,更可降低生產(chǎn)成本。

            針對(duì)此點(diǎn),臺(tái)積電也指出,第二代 7 納米導(dǎo)入 EUV 技術(shù)后,在部分的關(guān)鍵制程上原本需要曝光 4 次,用 EUV 技術(shù)后只要曝光 1 次,因此可縮短生產(chǎn)時(shí)間,且讓關(guān)鍵層數(shù)的技術(shù)掌握度大幅提高。

            三星也進(jìn)一步表示,7 納米 LPP (Low Power Plus) 工藝相較前一代 10 納米工藝減少 40% 芯片面積,降低 50% 功耗,效能則是提高 20%。在生產(chǎn)成本方面,因?yàn)閷?dǎo)入 EUV 技術(shù)是采用 13.5nm 波長(zhǎng)來(lái)曝光硅晶片,相較過(guò)去采用 193nm 波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行曝光的傳統(tǒng) ArF 浸潤(rùn)式技術(shù)需要 4 層光掩膜處理,EUV 技術(shù)只需要單層光掩膜就能完成單層硅晶片的曝光,因此縮短生產(chǎn)時(shí)程。

            光刻機(jī)大廠 ASML 則指出,第三季已經(jīng)完成 5 臺(tái) EUV 光刻機(jī)的出貨,更再獲得 5 臺(tái) EUV 光刻機(jī)的新訂單,到 2018 年底可完成 18 臺(tái) EUV 光刻機(jī)出貨,預(yù)估 2019 年則會(huì)出貨 30 臺(tái)。根據(jù)其技術(shù)藍(lán)圖,下一代機(jī)型 NXE : 3400C 預(yù)計(jì)于 2019 年下半年開(kāi)始出貨,達(dá)到每小時(shí) 155 片芯片的吞吐量。

            可預(yù)見(jiàn)地,2019 年 的臺(tái)積電將由 7 納米挑大梁演出,而三星的底牌都透明化地掀出來(lái)了,那么未來(lái)的芯片市場(chǎng)將有如何的變化?讓我們拭目以待。



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