臺(tái)積電火拼三星，爭搶7納米高地

　　芯片大戰(zhàn)異?；馃?隨著目前7nm工藝技術(shù)的成熟，芯片企業(yè)開始陸續(xù)推出各自的高端芯片產(chǎn)品，比如華為的麒麟980，高通驍龍855、蘋果A12芯片都將采用最新的7nm工藝。

　　在今年臺(tái)積電召開季度分析師會(huì)議上，7 納米技術(shù)無疑是最大亮點(diǎn)，而就在同一天，臺(tái)積電勁敵三星電子(Samsung Electronics)宣布使用極紫外光刻技術(shù)(EUV)的 7 納米 LPP 工藝開始生產(chǎn)，踢館較勁的意味十足。

　　對(duì)于三星的動(dòng)作，臺(tái)積電高調(diào)反擊表示，手上已有 100 個(gè) 7 納米的流片(tape-out)客戶，應(yīng)用在 AI 領(lǐng)域的高速運(yùn)算芯片占多數(shù)，更重要的是，2019 年第二代采用 EUV 技術(shù)的 7 納米將貢獻(xiàn) 10 億美元營收，完美地用客戶數(shù)量、營收數(shù)字反擊三星的挑釁!

　　在過去，三星是蘋果A系列處理器的代工方，但隨著臺(tái)積電的入局，蘋果的A11、A12應(yīng)用處理器都被后者“獨(dú)吞”。不僅如此，英偉達(dá)(NVIDIA)新一代GPU芯片、賽靈思(Xilinx)可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片的訂單也被臺(tái)積電收入囊中。

　　但是，去年年底，有報(bào)道稱因三星7納米無法趕在2018年年底前量產(chǎn)，高通的一款數(shù)據(jù)機(jī)芯片和驍龍855處理器將由臺(tái)積電接手。

　　從理論上來說臺(tái)積電的技術(shù)是要比三星的更加成熟，目前臺(tái)積電使用的7nm工藝工藝相對(duì)比較穩(wěn)定，而三星由于之前加入EUV技術(shù)研發(fā)，要在明年保證良品率量產(chǎn)難度比較大。

　　從三星和臺(tái)積電公布的7納米芯片制造技術(shù)投產(chǎn)和量產(chǎn)的時(shí)間來看，兩位競爭對(duì)手在工藝和開發(fā)速度方面基本保持一致。但三星一直認(rèn)為其在7納米技術(shù)方面處于更領(lǐng)先的位置。

　　根據(jù)三星公布的 7 納米 LPP 工藝，是使用光刻機(jī)大廠 ASML 的 EUV 機(jī)臺(tái)技術(shù)，優(yōu)點(diǎn)是提升芯片內(nèi)的電晶體密度且降低功耗。再者，因?yàn)椴捎?EUV 技術(shù)，光掩膜的層數(shù)減少，因此可縮短生產(chǎn)的時(shí)程，達(dá)到經(jīng)濟(jì)規(guī)模后，更可降低生產(chǎn)成本。

　　針對(duì)此點(diǎn)，臺(tái)積電也指出，第二代 7 納米導(dǎo)入 EUV 技術(shù)后，在部分的關(guān)鍵制程上原本需要曝光 4 次，用 EUV 技術(shù)后只要曝光 1 次，因此可縮短生產(chǎn)時(shí)間，且讓關(guān)鍵層數(shù)的技術(shù)掌握度大幅提高。

　　三星也進(jìn)一步表示，7 納米 LPP (Low Power Plus) 工藝相較前一代 10 納米工藝減少 40% 芯片面積，降低 50% 功耗，效能則是提高 20%。在生產(chǎn)成本方面，因?yàn)閷?dǎo)入 EUV 技術(shù)是采用 13.5nm 波長來曝光硅晶片，相較過去采用 193nm 波長來進(jìn)行曝光的傳統(tǒng) ArF 浸潤式技術(shù)需要 4 層光掩膜處理，EUV 技術(shù)只需要單層光掩膜就能完成單層硅晶片的曝光，因此縮短生產(chǎn)時(shí)程。

　　光刻機(jī)大廠 ASML 則指出，第三季已經(jīng)完成 5 臺(tái) EUV 光刻機(jī)的出貨，更再獲得 5 臺(tái) EUV 光刻機(jī)的新訂單，到 2018 年底可完成 18 臺(tái) EUV 光刻機(jī)出貨，預(yù)估 2019 年則會(huì)出貨 30 臺(tái)。根據(jù)其技術(shù)藍(lán)圖，下一代機(jī)型 NXE ： 3400C 預(yù)計(jì)于 2019 年下半年開始出貨，達(dá)到每小時(shí) 155 片芯片的吞吐量。

　　可預(yù)見地，2019 年 的臺(tái)積電將由 7 納米挑大梁演出，而三星的底牌都透明化地掀出來了，那么未來的芯片市場將有如何的變化?讓我們拭目以待。