3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)已打響

　　科技的發(fā)展有時(shí)超出了我等普通人的想象，今年臺(tái)積電才開(kāi)始量產(chǎn)7nm，計(jì)劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計(jì)劃在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進(jìn)可以說(shuō)是競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。

　　3nm技術(shù)可以說(shuō)已經(jīng)接近半導(dǎo)體工藝的物理極限，而其目前也處于實(shí)驗(yàn)室階段，3nm制程技術(shù)難度高，是很大挑戰(zhàn)。

　　臺(tái)積電：3 nm是為未來(lái)產(chǎn)品儲(chǔ)備

　　一般來(lái)說(shuō)傳輸數(shù)據(jù)的需求越多，CPU就得塞更多電晶體，在CPU體積不變，甚至要更小的浪潮下，電晶體勢(shì)必底更小，以納米計(jì)算，而且彼此排列得更密。能提供如此制程的代工廠(chǎng)，便能獲得世界各IC設(shè)計(jì)廠(chǎng)的青睞。

　　在全球晶圓代工市場(chǎng)上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，占據(jù)全球晶圓代工市場(chǎng)大約60%的份額，不僅營(yíng)收遠(yuǎn)超其他廠(chǎng)商，而且在7nm工藝節(jié)點(diǎn)幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單，今年流片了50多個(gè)7nm芯片，明年還有100多個(gè)7nm及7nm+工藝訂單。

　　今年八月底，臺(tái)積電公布了3nm制程工藝計(jì)劃，目前臺(tái)南園區(qū)的3nm晶圓工廠(chǎng)已經(jīng)通過(guò)了環(huán)評(píng)初審，臺(tái)積電計(jì)劃投資6000億新臺(tái)幣(約為194億美元)，2020年開(kāi)始建廠(chǎng)，2021年完成設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)最快2022年底到2023年初投產(chǎn)，3nm廠(chǎng)完成后預(yù)計(jì)雇用員工達(dá)四千人。

　　為了滿(mǎn)足臺(tái)積電3nm建廠(chǎng)需要，南科臺(tái)南基地，每日用水量將由25萬(wàn)噸增至32.5萬(wàn)噸，用電量則由222萬(wàn)瓦增至299.5萬(wàn)瓦;推估此次變更后，溫室氣體排放量一年增加427萬(wàn)噸。

　　三星：市場(chǎng)環(huán)境必須開(kāi)辟新戰(zhàn)場(chǎng)

　　花旗預(yù)測(cè)明年DRAM內(nèi)存至少會(huì)降價(jià)30%。對(duì)于DRAM廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，內(nèi)存降價(jià)是他們極不愿意看到的，特別是第一大內(nèi)存供應(yīng)商三星，DRAM芯片占了三星公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收的85%。

　　為了彌補(bǔ)DRAM內(nèi)存降價(jià)導(dǎo)致的損失，三星明年將加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)，雖然在7nm節(jié)點(diǎn)上落后了臺(tái)積電，但三星表態(tài)他們的3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗(yàn)證，將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

　　在晶圓代工方面，三星之前也是有過(guò)光輝歷史的，在32nm、14nm及10nm節(jié)點(diǎn)率先量產(chǎn)，不過(guò)7nm節(jié)點(diǎn)上三星進(jìn)度落后于臺(tái)積電，自家的Exynos 9820處理器也沒(méi)有趕上7nm EUV工藝，還是用的10nm工藝改進(jìn)的8nm LPP工藝，數(shù)字上聽(tīng)起來(lái)跟7nm工藝差不多，但實(shí)際上并不是麒麟980、蘋(píng)果A12及驍龍855同代水平的。

　　在DRAM內(nèi)存芯片降價(jià)的大環(huán)境下，三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的重點(diǎn)也會(huì)傾向于晶圓代工，去年三星晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收46億美元，三星的目標(biāo)是營(yíng)收增加一倍到100億美元以上，不過(guò)要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，三星除了斥資56億美元興建新的晶圓廠(chǎng)之外，還要在技術(shù)上加把勁，趕超臺(tái)積電。

　　經(jīng)過(guò)多年的積淀，三星終于要站上世界之巔。在目前國(guó)家大力補(bǔ)“芯”的背景下，三星的發(fā)展歷程可以說(shuō)給我們提供了很好的借鑒，而其成功也證明了芯片并非只有歐美才能成為世界頂尖水平。

　　搶占最小納米生產(chǎn)制造的制高點(diǎn)

　　科技的快速發(fā)展，使得臺(tái)積電這個(gè)芯片代工龍頭不得不加快準(zhǔn)備新技術(shù)產(chǎn)品的制造準(zhǔn)備。芯片技術(shù)的快速發(fā)展、制程的快速發(fā)展，讓芯片的制造工廠(chǎng)也不得不加快制程技術(shù)的升級(jí)。在2012年開(kāi)始28nm的量產(chǎn)成為主流，然而僅僅過(guò)了5、6年的時(shí)間，臺(tái)積電和三星就在今年開(kāi)始了7nm制程的量產(chǎn)。

　　芯片制造業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng)不得不讓臺(tái)積電這個(gè)龍頭快速搶占芯片制造的最高點(diǎn)。在芯片代工業(yè)里，臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電、三星、中芯國(guó)際等企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)也是相當(dāng)激烈，雖然臺(tái)積電是芯片代工的龍頭企業(yè)，但也不敢掉以輕心。

　　特別是三星，在其宣布2018年下半年量產(chǎn)7nm工藝時(shí)，直接宣布了今后的規(guī)劃，要在2019年生產(chǎn)5nm的芯片，2020年生產(chǎn)4nm芯片，2021年要生產(chǎn)3nm的芯片，可見(jiàn)其每年上升一個(gè)臺(tái)階，暴露出其雄心。而臺(tái)積電這個(gè)龍頭自然不敢掉以輕心，只有加快進(jìn)度實(shí)現(xiàn)3nm制程的生產(chǎn)，搶占制高點(diǎn)。

　　臺(tái)積電和三星的規(guī)劃，給大陸芯片制造企業(yè)帶來(lái)了極大的壓力。可以作為大陸芯片制造代表的是中芯國(guó)際，但是就是這樣的代表也才到2019年才開(kāi)始實(shí)現(xiàn)14nm制程的生產(chǎn)，差距在5年以上甚至更多。