芯片設(shè)計(jì)企業(yè)該如何選擇適合的工藝？

　　如何向芯片設(shè)計(jì)企業(yè)推薦最合適的工藝，芯片設(shè)計(jì)企業(yè)應(yīng)該怎么權(quán)衡?不久前，在珠海舉行的“2018中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)(ICCAD)”期間，芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法。

　　先進(jìn)工藝選擇的考量

　　芯原微電子創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士稱，28nm以前一切是很好的、沒有爭(zhēng)議的：芯片特征尺寸降低后，功耗低、成本低、速度高;但28nm以后就開始不一樣，很多企業(yè)在20nm做了一代以后就沒怎么往下做了。再看最前沿的企業(yè)，臺(tái)積電的7nm工藝已出爐。但也有些企業(yè)為了做7nm趕在前面，肯定10nm沒有做全。實(shí)際上，7nm客戶目前不太多，就是蘋果等幾家公司。

　　關(guān)鍵是7nm的EUV機(jī)器沒法先做出來，沒有EUV機(jī)器，會(huì)多一二十層mask(掩模)，因此馬上就有了7nmPlusEUV工藝。但直到5nm才真正把EUV用上去。需要強(qiáng)調(diào)的是，F(xiàn)inFET很好，但必須要有EUV機(jī)器出來。

　　但前面的工藝，例如55nm,做十多年都沒問題。但FinFET每代可能就五六年時(shí)間就沒有了，下一代比這一代還好，就不用原來的工藝了。例如用了10/12nm，14/16nm就不要了。7nm做好了，可能10/12nm就不用了……。所以做10、7nm的客戶今天還在期盼著5nm，不會(huì)期盼7nmPlusEUV，所以這條路很有挑戰(zhàn)性，目前看只有臺(tái)積電做得起，三星做DRAM很有經(jīng)驗(yàn)，資金很多，但7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)還要看。等最后可能是5、3nm時(shí)，誰(shuí)還能做得起?

　　所以28nm肯定沒有問題。55nm也很好。到后來是7、5nm的芯片有可能出來，因?yàn)橛袣v史的原因——7nm客戶不上了，就等5nm了。但是從28nm到5nm之間不能是空白、沒有節(jié)點(diǎn)了，所以FD-SOI的4個(gè)節(jié)點(diǎn)有意義，例如三星的28、18nm，格芯的22、12nm等。所以客戶也許會(huì)采取兩條腿走路的方式。

　　但值得一提的是，我們不是不會(huì)做FinFET才去做FD-SOI，當(dāng)你整個(gè)規(guī)模很大，100%資源還不夠，那就用FinFET。如果IoT很多，20%資源還不夠用，需要特別高的工藝，特別是RF集成，適合用RF-SOI工藝。

　　明確自己的定位

　　Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司總裁王琦博士稱，從Cadence所擅長(zhǎng)的EDA和IP角度看，設(shè)計(jì)和制造的投資都很大，因此要進(jìn)行一個(gè)平衡：你要做第一名、第一梯隊(duì)的成員，就要用最先進(jìn)的技術(shù)?，F(xiàn)在，摩爾定律已經(jīng)明確地出現(xiàn)放緩跡象，持續(xù)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步并實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝是發(fā)展的關(guān)鍵。Cadence已經(jīng)大舉投資了7nm和5nm工藝研發(fā)并取得巨大成功;我們將繼續(xù)投資3納米工藝技術(shù)以及未來更先進(jìn)的制程工藝。

　　另外，Cadence選擇在會(huì)在南京拓展IP戰(zhàn)略，源于Cadence在IP端一直致力于先進(jìn)進(jìn)程，可是國(guó)內(nèi)在成熟節(jié)點(diǎn)上依然有很大市場(chǎng)。所以南京凱鼎的主要任務(wù)就是把同樣的IP技術(shù)移植到中國(guó)來，例如Cadence在7nm已經(jīng)驗(yàn)證的IP反向移植到22nm、28nm等平臺(tái)中。

　　王琦博士表示，市場(chǎng)在哪里，投資就會(huì)在哪里，而現(xiàn)在的市場(chǎng)就在中國(guó)。“全世界半導(dǎo)體除了中國(guó)之外，增長(zhǎng)率相對(duì)較非常低，作為EDA工具和IP服務(wù)商，一定要貼近客戶，尤其是中國(guó)有這么多具有活力和創(chuàng)新力的中小型公司，他們都有自己的定位和想法，還有這么豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，這就是中國(guó)市場(chǎng)最吸引人的地方?！?/p>

　　特色工藝的超級(jí)節(jié)點(diǎn)是55nm和28nm

　　UMC主打特色工藝。UMC副總經(jīng)理林偉圣指出，如果現(xiàn)在看整個(gè)工藝的發(fā)展，如果從90、55、40、28nm來看，現(xiàn)在先進(jìn)工藝不談，只談特色工藝。特色工藝?yán)锏?5nm是一個(gè)超級(jí)節(jié)點(diǎn)，因此其現(xiàn)在涵蓋的產(chǎn)品，從RF到超低功耗、嵌入式非易失、高壓、VCD等，對(duì)于這些產(chǎn)品，55nm是一個(gè)超級(jí)節(jié)點(diǎn)。

　　下一個(gè)超級(jí)節(jié)點(diǎn)是多少?應(yīng)該是28nm節(jié)點(diǎn)。如果把28nm節(jié)點(diǎn)與40nm工藝比較，28nm節(jié)點(diǎn)速度快，但是漏電比40nm好一點(diǎn)。另外28nm還有非常廣的應(yīng)用，其中之一是在RF方面。因?yàn)槲覀儸F(xiàn)在看到像4G的RF，2.4GHz用在28nm工藝上沒有問題，而且現(xiàn)在熱議的5G、sub-GHz也是在28這個(gè)節(jié)點(diǎn)，甚至我們講到newradio也是在28nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)。

　　如果去看整個(gè)28nm節(jié)點(diǎn)的RF特性，只要芯片的主頻是小于100G，基本上在22nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)是可以做的。這代表什么意思?有一個(gè)mini-watt基站芯片，22nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)就足夠了。在RF工藝上，有些客戶要做高頻RF特性，用22nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)就可以。

　　還有一個(gè)驅(qū)動(dòng)器的例子。市面上看到的屏是所謂的TDDI，現(xiàn)在主流是80nm的高壓驅(qū)動(dòng)器，不帶SRAM;但是國(guó)內(nèi)現(xiàn)在有像京東方、國(guó)顯、華星光電等已經(jīng)開了一系列的AMOLED的廠出來，這些廠出來的產(chǎn)品良率不是很好，所以必須做一些修復(fù)，因此驅(qū)動(dòng)器本身要帶較多的SRAM。為此，目前來看，40nm高壓是一個(gè)非常好的節(jié)點(diǎn)。也有人認(rèn)為可以從55nm開始做，畢竟55nm的開發(fā)費(fèi)用比40nm低一些。所以AMOLED如果要帶SRAM修復(fù)，基本會(huì)從55nm切入，接下來是40nm。

　　那么，對(duì)于顯示驅(qū)動(dòng)器，28nm的機(jī)會(huì)在哪里呢?三星提出一些VR應(yīng)用的芯片，由于刷新度要求非?？欤棵胍?20幀，因?yàn)橐乐箷炑?，分辨率要達(dá)到4K，因此就需要非常大的計(jì)算能力，所以28nm的高壓工藝會(huì)在28nm節(jié)點(diǎn)切入進(jìn)來。

　　簡(jiǎn)而言之，55nm節(jié)點(diǎn)由于其特殊性，應(yīng)該還會(huì)維持未來的需求當(dāng)量。未來如果還要再往高性能走的話，可能下一個(gè)超級(jí)節(jié)點(diǎn)就在28nm。