碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車？

　　我國彎道超車的機會來了?

　　雖然我國寬禁帶功率半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)逐步成熟，處于重要窗口期。然而目前行業(yè)面臨的困難仍然很多，一個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與兩個方面有關(guān)：一個是技術(shù)層面，另一個重要問題就是產(chǎn)業(yè)的生態(tài)環(huán)境。

　　目前國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新鏈并沒有打通，整體創(chuàng)新環(huán)境較差。從事寬禁帶半導體研發(fā)的研究機構(gòu)、企業(yè)單體規(guī)模小，資金投入有限，研發(fā)創(chuàng)新速度慢，成果轉(zhuǎn)化困難。

　　然而在寬禁半導體材料方面卻有比較樂觀的一面，中鎵半導體目前已建成國內(nèi)首家專業(yè)的GaN襯底材料生產(chǎn)線，制造出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月初，中鎵半導體氮化鎵襯底量產(chǎn)技術(shù)獲得重大突破，實現(xiàn)國內(nèi)首創(chuàng)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

　　天域半導體是我國首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。據(jù)悉，早在2010年，該公司就與中國科學院半導體所合作成立了“碳化硅技術(shù)研究院”。目前，天域半導體可提供6英寸SiC晶圓，以及各種單極、雙極型SiC功率器件。

　　風華高科是一家專業(yè)從事新型元器件、電子材料、電子專用設(shè)備等電子信息基礎(chǔ)產(chǎn)品的高科技上市公司。

　　第三代寬禁帶半導體材料，可以被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域，且具備眾多的優(yōu)良性能，可突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，故被市場看好的同時，隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導體材料。目前，美國、日本、歐洲在第三代半導體SiC、GaN、AlN等技術(shù)上擁有絕對的話語權(quán)。相比美、日，我國在第三半導體材料上的起步較晚，水平較低，但由于第三代半導體還有很大的發(fā)展空間，各國都處于發(fā)力階段，因此被視作一次彎道超車的機會。

　　總結(jié)

　　我國展開SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平比較低。但是隨著國家戰(zhàn)略層面支持力度的加大，且具有迫切的市場需求，因此我國將有望集中優(yōu)勢力量一舉實現(xiàn)技術(shù)突破!

　　路漫漫其修遠兮，吾將上下而求索?；蛟S是概括這一行業(yè)的最好判語了。