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          AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2019-03-20
				來源：快科技
				
				
				
				
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            編者按：在Rice Oil&Gas高性能計(jì)算會(huì)議上，AMD高級(jí)副總裁Forrest Norrod介紹，他們正跟進(jìn)3D封裝技術(shù)，目標(biāo)是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。
          
            
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          　　目前的智能手機(jī)普遍實(shí)現(xiàn)了處理器SoC和內(nèi)存(DRAM)的堆疊式封裝(PoP)，從AMD日前公布的信息來看，PC產(chǎn)品也有望實(shí)現(xiàn)類似的技術(shù)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201903/398650.htm
          　　在Rice Oil&Gas高性能計(jì)算會(huì)議上，AMD高級(jí)副總裁Forrest 
Norrod介紹，他們正跟進(jìn)3D封裝技術(shù)，目標(biāo)是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。
          　　其實(shí)此前，AMD就率先推出了HBM顯存產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了GPU芯片和顯存芯片整合封裝，但那僅僅屬于2.5D方案。
          　　
          AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起
          　　3D堆疊的好處在于縮短了電流傳遞路徑，也就是會(huì)降低功耗。不過，3D封裝的挑戰(zhàn)在于如何控制發(fā)熱。
          　　
          AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起
          　　遺憾的是，AMD并未公布更多技術(shù)細(xì)節(jié)。
          　　AMD稱，雖然光刻工藝在精進(jìn)，但是頻率甚至要開始走下坡路，需要一些新的設(shè)計(jì)助力。
          　　其實(shí)Intel今年也公布了名為Foveros的3D芯片封裝技術(shù)，將22nm I/O基板、10nm Sunny 
Core和四核Atom整合在一起，功耗僅7瓦。
          　　
          AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起

          　　
          AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        3D封裝
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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