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          長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團角力戰(zhàn)漸起

          作者:韓青秀 時間:2019-05-07 來源:DIGITIMES 收藏

          市場傳出,有意改變策略,越過大股東的銷售管道,采取自產(chǎn)自銷芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201905/400262.htm

          中國首家NAND Flash制造商量產(chǎn)腳步逼近,預(yù)計于2019年底前量產(chǎn) 64層,將可能提前于第3季小量試產(chǎn),但作為第一家本土存儲器制造的指標廠商,隨著良率提升表現(xiàn)順利,近來內(nèi)部逐漸由「金主」主導(dǎo)轉(zhuǎn)變?yōu)椤讣夹g(shù)」團隊出頭的局面。

          長江存儲2019年邁入64層NAND量產(chǎn),外傳與大股東爭取銷售主導(dǎo)權(quán)形成角力戰(zhàn)攻防。

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          長江存儲在2018年成功研發(fā) 32層后,其武漢基地一期專案已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn),第1季的單月產(chǎn)能可達到5,000片,2019年目標將邁入量產(chǎn)64層3D NAND計畫。

          據(jù)指出,近8個月來長江存儲生產(chǎn)良率已有明顯改善,足以用于消費性產(chǎn)品,而業(yè)界對于搭載本土存儲器芯片更是躍躍欲試,包括日前電商天貓與存儲器模塊廠江波龍宣布策略聯(lián)盟,將率先搭載長江存儲的NAND產(chǎn)品作為銷售。業(yè)界也預(yù)期,在長江存儲投入量產(chǎn)后,首要價格沖擊將出現(xiàn)于內(nèi)需市場的消費性應(yīng)用。

          隨著終端市場期待甚高,長江存儲與大股東的合作模式隱約出現(xiàn)轉(zhuǎn)變,原先預(yù)計由長江存儲負責生產(chǎn)NAND Flash芯片,并由同集團的紫光存儲負責銷售NAND與制作成品銷售,包括SSD與UFS等應(yīng)用。

          但據(jù)傳,長江存儲內(nèi)部認為,紫光存儲并不適合銷售長江存儲的產(chǎn)品,特別針對自行開發(fā)Xtacking架構(gòu)64層3D NAND也缺乏深入了解,因而希望爭取奪回自產(chǎn)自銷NAND的主導(dǎo)權(quán),并希望紫光存儲對外負責銷售「非」長江存儲的NAND與系統(tǒng)產(chǎn)品,導(dǎo)致雙方間隙越漸擴大。

          長江存儲的前身來自于紫光國芯與武漢新芯的合并,武漢市政府本為原始大股東,然而紫光集團與大基金共同入股出資,意味著長江存儲肩負起半導(dǎo)體本土化的重責大任。

          目前紫光集團仍持有51%股權(quán)、大基金持股25%、武漢政府持股24%,盡管紫光集團仍強勢布局存儲器產(chǎn)業(yè)版圖,但長江存儲邁入64層量產(chǎn)即將蓄勢待發(fā),業(yè)界地位聲勢漸起,在配合武漢市政府的積極力挺下,內(nèi)部技術(shù)團隊的影響力漸增,而紫光集團作為大金主的主導(dǎo)權(quán)也逐漸黯然褪色,雙方的角力激戰(zhàn)在臺面下暗潮洶涌。

          受到NAND Flash價格跌勢猛烈,國際存儲器大廠相繼采取減產(chǎn)或降低資本支出,除了美光率先宣布2019會計年度資本支出削減至90億美元,DRAM與NAND Flash將分別減產(chǎn)5%、SK海力士(SK Hynix)預(yù)計2019年NAND Flash晶圓投片量將年減10%、威騰(WD)延后 Fab 6新廠的投產(chǎn)計畫,預(yù)計晶圓出貨將減少10~15%,未上市的東芝存儲器并未宣布減產(chǎn),但內(nèi)部策略也將減少NAND產(chǎn)出。

          不過目前各家國際大廠減產(chǎn)多半仍針對舊制程的64層NAND,而新一代96層的研發(fā)投入并未縮手,并預(yù)計2020年下半各家大廠將先后進入128層等級的制程,長江存儲力圖超車追趕,預(yù)計在量產(chǎn)64層NAND后,將直接跳過96層,直接2020年直接逼近128層堆疊3D NAND,縮短與國際大廠的技術(shù)差距。

          NAND控制芯片廠商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章指出,目前長江存儲的32層3D NAND的樣品已經(jīng)送交至少10家客戶,但下半年對于整體NAND市場并不會造成明顯影響,盡管外界仍質(zhì)疑其良率水平不足,初期仍將應(yīng)用于非主流的存儲市場,但長江存儲的專利技術(shù)并沒有疑慮,待其發(fā)展成熟之際,后勢成長將十分可觀。

          茍嘉章認為,中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)將遲早會起來,相較于目前DRAM仍有專利疑慮,導(dǎo)致發(fā)展進度延遲,但相較之下,官方認為NAND產(chǎn)業(yè)更具有戰(zhàn)略性意義,且市場應(yīng)用的發(fā)展性更多元,遲早將會對市場占有一席之地。

          業(yè)界認為,長江存儲的3D NAND導(dǎo)入量產(chǎn),并將在2020年直接挑戰(zhàn)國際大廠,而規(guī)劃產(chǎn)能可望上看至10萬片,在量產(chǎn)初期恐怕仍將面臨良率較低的瓶頸,預(yù)料3D NAND市場價格波動恐怕仍將延續(xù)震蕩至2020年。



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