SK海力士宣布:全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣
SK海力士于26日宣布,將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND閃存,并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷售。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201906/402005.htm這是SK海力士去年10月發(fā)表96層4D NAND后,時(shí)隔8個(gè)月再次發(fā)表新產(chǎn)品。據(jù)韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),SK海力士為使用TLC設(shè)計(jì)(每個(gè)Cell單元上安裝3bit)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,應(yīng)用垂直蝕刻、多層薄膜顆粒形成、低電力回路設(shè)計(jì)等技術(shù),制造出堆棧3600億以上NAND顆粒、128層的1Tb產(chǎn)品,不僅達(dá)到業(yè)界最高堆棧數(shù),也超越三星電子量產(chǎn)的90層NAND。
雖然先前已有96層QLC 1Tb規(guī)格的產(chǎn)品,但TLC的性能、處理速度皆優(yōu)于QLC,在NAND市場(chǎng)中,TLC產(chǎn)品市占率更達(dá)85%。因此SK海力士首次以TLC技術(shù)開(kāi)發(fā)出高容量NAND,備受外界關(guān)注。
特別的是,雖然該產(chǎn)品將原本96層NAND產(chǎn)品增加32層,制程手續(xù)卻減少5%,加上128層4D NAND的每硅片位元生產(chǎn)率比96層4D NAND高4成,即使不使用PUC技術(shù)(外圍電路),128層4D NAND的位元生產(chǎn)率仍然能提高15%以上。SK海力士對(duì)此說(shuō)明,通過(guò)此方式能節(jié)省轉(zhuǎn)換新制程的花費(fèi),和上一代轉(zhuǎn)換投資費(fèi)用相比,約能減少6成?!冻r日?qǐng)?bào)》指出,這是SK海力士活用去年10月開(kāi)發(fā)的4D NAND工藝平臺(tái),并優(yōu)化制程的成果。
SK海力士計(jì)劃下半年開(kāi)始銷售128層4D NAND閃存。SK海力士相關(guān)人士表示,該產(chǎn)品即使在低電壓(1.2V)環(huán)境,也能達(dá)到1400Mbps數(shù)據(jù)傳輸速度,適合應(yīng)用在高性能、低耗電的移動(dòng)解決方案,以及企業(yè)用SSD(固態(tài)硬盤)中。
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