臺(tái)積電5nm明年三月量產(chǎn)：密度提升最多80％

據(jù)產(chǎn)業(yè)消息，臺(tái)積電將從2020年3月開(kāi)始，大規(guī)模量產(chǎn)5nm工藝，屆時(shí)芯片公司就可以開(kāi)始用新工藝流片了。

很多人一直說(shuō)摩爾定律已死，但是在7nm工藝量產(chǎn)后僅僅兩年，5nm就要成真，真是有點(diǎn)不可思議。

7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80％的晶體管密度提升，15％左右的性能提升或者30％左右的功耗降低。

這些數(shù)據(jù)是來(lái)自臺(tái)積電在ARM A72核心的結(jié)果，不同芯片表現(xiàn)肯定不一樣，但無(wú)論性能還是功耗，必然都會(huì)比7nm時(shí)代有明顯進(jìn)步。

另外，臺(tái)積電還準(zhǔn)備了增強(qiáng)版的N5P 5nm工藝，優(yōu)化前線和后線，可以繼續(xù)提升7％的性能，或者降低15％的功耗。

臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)有多家客戶，雖未官宣，但是蘋(píng)果下代A系列、華為下代麒麟、AMD下代Zen4架構(gòu)、高通下代驍龍旗艦，幾乎都跑不了，據(jù)說(shuō)“家里有礦”的比特大陸也會(huì)在未來(lái)AI芯片上應(yīng)用5nm。

為了滿足客戶需求，臺(tái)積電已經(jīng)上調(diào)了計(jì)劃中的5nm產(chǎn)能，而現(xiàn)在的7nm也是有些供不應(yīng)求。