高壓電解電容波峰焊放電擊穿板上芯片的機(jī)理研究及對策

王大波，施清清，李會(huì)超，宗? 巖 （珠海格力電器股份有限公司，廣東?珠海?519000）

摘? 要：芯片失效作為困擾電子行業(yè)的難題，失效機(jī)理復(fù)雜，對于因生產(chǎn)現(xiàn)場環(huán)境造成的過電、靜電失效，環(huán) 節(jié)無法鎖定。通過對高壓電解電容帶電插裝對印制電路板上芯片損傷分析，確定主板過波峰焊時(shí)錫面連錫短路 導(dǎo)致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機(jī)理，并制定管控對策，有效降低芯片失效不良。 

關(guān)鍵詞：芯片失效；高壓電解電容；擊穿；波峰焊；PCBA

0  引言 

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，小型化、集成化的芯片被應(yīng) 用于各個(gè)領(lǐng)域，如何保證自身可靠性及產(chǎn)品質(zhì)量成為芯 片廠商不斷深入研究的熱點(diǎn)。但芯片因生產(chǎn)環(huán)境、使用 環(huán)境苛刻，失效情況時(shí)有發(fā)生^[1]。目前業(yè)界已經(jīng)識(shí)別到 的失效原因分兩大類：①芯片本身制造缺陷；②生產(chǎn) 現(xiàn)場不規(guī)范操作導(dǎo)致失效。業(yè)內(nèi)常用的失效分析方法 包括：芯片開封、X-Ray無損探傷、SEM掃描電鏡、 EMMI偵測等。此類分析方法對于芯片制造缺陷，如晶 元異常、金線綁定異常等能直觀判斷失效環(huán)節(jié)，但是對 于因生產(chǎn)現(xiàn)場環(huán)境造成的EOS（過電應(yīng)力）、ESD（靜 電放電）卻難以鎖定失效點(diǎn)，給生產(chǎn)、產(chǎn)品質(zhì)量改善帶 來不便。 

電解電容因容量大，廣泛應(yīng)用于輸出濾波電路中， 起儲(chǔ)能和濾波作用^[2-3]。高壓電解電容因其制造工藝及 電子特性，在插裝前會(huì)殘留部分電壓，而殘留電壓對于 電路板上半導(dǎo)體器件的影響一直被行業(yè)內(nèi)電路設(shè)計(jì)者所 忽略。學(xué)者針對高壓電解電容殘留電壓對芯片失效進(jìn)行深入研究，并做了充分試驗(yàn)驗(yàn)證。結(jié)果表明高壓電解電 容未放電即插裝，在過波峰焊時(shí)會(huì)通過錫面將殘留電壓 作用于芯片上，致使芯片失效。同時(shí)，學(xué)者通過大量數(shù) 據(jù)驗(yàn)證，通過改進(jìn)電路布局或過板方向，有效解決了因 高壓電解電容未放電導(dǎo)致的芯片失效，降低產(chǎn)品不良 率，提高產(chǎn)品可靠性^[4-5]。

1  案例分析 

1.1 背景 

控制器車間生產(chǎn)某兩款主板，某廠家開關(guān)電源芯 片零星下線，批次不集中，失效外在表現(xiàn)為芯片的1腳 （使能腳）與5腳（地腳）之間阻抗值異常，正常品阻 抗為M歐級別，失效品阻抗為K歐級別。對正常、異常 芯片分別測試U-I曲線，如圖1、圖2所示，表明芯片失 效，有漏電流。圖3、圖4為異常芯片X-Ray圖像，結(jié)果 表明芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)無明顯異常。經(jīng)廠家對芯片開封確 認(rèn)，如圖5所示，確認(rèn)芯片失效模式為過電損傷。

1.2 分析過程 

取庫存開關(guān)電源芯片，對 PIN1（EN/UV）腳與 PIN5（S）腳施加15 V直流電壓，測試阻值，試驗(yàn)后芯 片1～5腳阻抗在10 kΩ左右，與下線異常品阻抗一致， 測試U-I曲線與下線品一致，存在明顯漏電。經(jīng)對芯片 開封確認(rèn)，芯片屬過電失效。 

對生產(chǎn)線及員工的靜電防護(hù)、在線測試設(shè)備進(jìn)行排查，未發(fā)現(xiàn)異常。為鎖定失效環(huán)節(jié)，對未上線芯片全檢 1～5腳阻抗，無異常后進(jìn)入下一生產(chǎn)流程。最終鎖定失 效環(huán)節(jié)發(fā)生在主板進(jìn)入波峰焊后與出波峰焊間，進(jìn)一步 檢查波峰焊設(shè)備接地狀態(tài)及防靜電檢查，無異常。初步 分析為高溫導(dǎo)致芯片失效。因芯片為SMT貼裝，對比回 流焊、波峰焊溫度及過板時(shí)間，回流焊環(huán)境更為惡劣， 但未出現(xiàn)異常。同步安排芯片高溫、低溫、冷熱沖擊、 高溫潮態(tài)試驗(yàn)均未發(fā)現(xiàn)異常，鎖定失效發(fā)生在波峰焊浸 錫環(huán)節(jié)。 

對開關(guān)電源芯片電路分析，電路中有450 V/22 μF的 電解電容，初步鎖定過電源為電解電容放電異常。經(jīng)驗(yàn) 證，使用直流電源對主板上電解電容充15 V的直流電后 對開關(guān)電源芯片1-5腳進(jìn)行放電，芯片失效，與下線樣 品現(xiàn)象一致。查詢該芯片技術(shù)參數(shù)，PIN1腳（EN/UV） 工作的最大額定電壓為9 V，高于9 V有過電擊穿隱患。 隨機(jī)抽取350個(gè)未上線使用的電解電容測試殘余電壓， 有3個(gè)電壓高于10 V，理論上高壓電解電容殘余電壓在 未放電即插裝使用存在擊穿芯片隱患。

2  實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 

2.1 驗(yàn)證條件及結(jié)果 

1.同編碼電容及下線主板； 

2.殘余電壓：30 V； 

3.驗(yàn)證數(shù)量：30 PCS； 

4.驗(yàn)證結(jié)果：未復(fù)現(xiàn)。 

2.2 原因分析 

通過對生產(chǎn)過程及波峰焊內(nèi)部構(gòu)造分析，確認(rèn)未復(fù) 現(xiàn)原因有以下3點(diǎn)： 

1）電解電容充電后會(huì)靜態(tài)放電，下線主板由波 峰焊入口到錫爐位置需5 min，同步做電容靜態(tài)放電試驗(yàn)，如圖6所示，表明電容殘余電壓隨時(shí)間遞減。 

2）電解電容插裝后由插件段至波峰焊錫爐過程 中，因鏈爪不平穩(wěn)電容在晃動(dòng)過程中引腳會(huì)碰到焊點(diǎn)過 孔沉銅，經(jīng)由印制線路板回路中耗能器件，加速電容 放電。經(jīng)驗(yàn)證，電容充電后，人為晃動(dòng)電容會(huì)加速放 電。同步對充電后電容在波峰焊內(nèi)部不同階段殘余電壓 測量，浸錫前殘余電壓相差較大，高可至20 V，低可至 5 V以下，表明電容帶電插裝后其放電過程屬隨機(jī)過 程，存在偶發(fā)性。

3）高壓電解電容放電擊穿芯片發(fā)生在主板浸錫過 程中，因該芯片為SMT貼裝，需滿足電容引腳和芯片1 腳測試點(diǎn)同時(shí)接觸錫面方可實(shí)現(xiàn)放電。錫爐的錫面為鋸 齒狀斜坡面，波峰高度有差異。同時(shí)，若電容雙引腳浸 錫則放電給錫面而不會(huì)給芯片。 

結(jié)合以上三點(diǎn)，高壓電解電容放電擊穿芯片需空間 與時(shí)間上同時(shí)滿足要求，為概率性事件，此為該芯片零 星下線原因。

3  失效機(jī)理分析 

3.1 失效機(jī)理 

對主板電路及過板方向進(jìn)行分析，電容負(fù)極與開關(guān) 電源芯片5腳共地，芯片1腳與過孔測試點(diǎn)共線路。當(dāng)測 試點(diǎn)、電容正極同時(shí)處于錫面時(shí)，電容的正極與測試點(diǎn) 通過錫面連通，即此時(shí)電容正極與芯片1腳連通形成回 路，相當(dāng)于電容儲(chǔ)存電量直接作用于開關(guān)電源芯片，致 使芯片失效，失效機(jī)理如圖7所示。

用導(dǎo)線將電容的正極與測試點(diǎn)短接，模擬過錫爐情 形，短接導(dǎo)線模擬測試點(diǎn)與電容正極同時(shí)浸錫錫面。 電容充電后插裝，測試芯片1～5腳阻抗，阻抗異常，與 下線現(xiàn)象一致。同步增加電容帶電插裝驗(yàn)證，故障可 復(fù)現(xiàn)。 

3.2 失效模式確認(rèn) 

此開關(guān)電源芯片共使用在7款PCB上，統(tǒng)計(jì)18個(gè)月 生產(chǎn)數(shù)量及芯片下線數(shù)量如表1所示。

從上表可以得出，迄今此開關(guān)電源芯片所用的板， 只有C、D兩款主板有下線，針對此主板上的開關(guān)電源 芯片、電容、測試點(diǎn)、過板方向等布局展開研究。

B主板從過板方向看，電容先于芯片1腳測試點(diǎn)浸 錫，電容過錫爐時(shí)電容正負(fù)極先接觸錫面，測試點(diǎn)還未 接觸錫面前電容已放電，因此沒有電容放電給芯片的 條件。

 F、G 兩款主板芯片1腳的測試點(diǎn)先接觸錫面，而后 電容正負(fù)極引腳同時(shí)浸錫，三者有共同處于錫面的時(shí) 間，但當(dāng)電容的正負(fù)極同時(shí)浸錫時(shí)，電容即放電，不會(huì) 再通過測試點(diǎn)回路放電給芯片。 

A、E兩款主板從過板方向看，芯片1腳測試點(diǎn)先過 錫爐，存在電容、測試點(diǎn)同時(shí)處于錫面的條件，但是此 主板的電容是負(fù)極先接觸錫面，即存在電容負(fù)極、測試 點(diǎn)同時(shí)處于錫面的情況。此時(shí)電容負(fù)極通過錫面與測試 點(diǎn)連通，測試點(diǎn)與芯片1腳連通，即電容負(fù)極與芯片1腳 連通，而電容的負(fù)極與芯片的5腳是連通的，此時(shí)相當(dāng) 于電容的負(fù)極同時(shí)與芯片的1腳和5腳連通，而此時(shí)電容 的正極在錫面以外，顯然無放電回路，如圖8所示。當(dāng) 電容的正極進(jìn)入錫面以后，電容的正極與負(fù)極通過錫面 連通，電容的電會(huì)直接通過錫爐釋放。

排查C、D兩款主板歷史在線失效數(shù)據(jù)時(shí)，了解到 此兩款主板的最初生產(chǎn)的階段此開關(guān)電源芯片無在線失 效案例，進(jìn)一步調(diào)查發(fā)現(xiàn)，此兩款主板 進(jìn)行過三次版 本升級，更改后開始出現(xiàn)芯片在線失效，對比幾次更改 情況，第一次更改調(diào)整了電容、芯片、測試點(diǎn)的布局， 改變了波峰焊階段電容放電回路，滿足電容對芯片放電 的條件，此點(diǎn)更改后一直延續(xù)到后面的版本，因此第一 次更改后的版本都出現(xiàn)過此芯片的零星下線。 

為驗(yàn)證以上分析的準(zhǔn)確性，將C、D兩款主板改變 過板方向，從而破壞了電容放電給芯片的放電回路，累計(jì)驗(yàn)證數(shù)據(jù)超過3 W，開關(guān)電源芯片無一在線失效案 例，進(jìn)一步佐證了分析的準(zhǔn)確性。

4  結(jié)論與對策 

4.1 研究結(jié)論 芯片生產(chǎn)線失效的原因?yàn)橥靼宓母邏弘娊怆娙荽?在放電不徹底的情況，當(dāng)主板經(jīng)過錫面時(shí)，電容的正極 與芯片1腳的測試點(diǎn)同時(shí)處在錫面，而測試點(diǎn)是與芯片1 腳連通的，同時(shí)電容的負(fù)極與芯片的5腳連通，即相當(dāng) 于電容的正負(fù)極分別加在芯片的1腳和5腳，從而將參與 電壓釋放在上，導(dǎo)致芯片過電失效，原理如圖7所示。 

對于DIP封裝的芯片，無需依靠測試點(diǎn)，芯片的引 腳直接與錫面接觸，此種情況下，需考慮芯片上高壓電 解電容在主板上的空間布局，同時(shí)要考慮錫面的寬度。 芯片過電損傷后，其在廠內(nèi)并不以某種失效形式表現(xiàn)， 但長期運(yùn)行影響芯片及成品可靠性。 

4.2 解決對策 

為減少因高壓電解電容未放電插裝導(dǎo)致的芯片失 效，可選擇以下方案進(jìn)行解決： 

1）PCBA的空間布局滿足電解電容兩正負(fù)引腳的連 線垂直波峰焊過板方向，既確保電容的正負(fù)引腳同時(shí)進(jìn) 入錫面，將可能存儲(chǔ)的電放給錫面。 

2）貼片封裝的芯片考慮將其測試點(diǎn)布控在遠(yuǎn)離高 壓電解電容的位置，具體是平行過板方向的距離大于波 峰焊錫爐錫面的距離，DIP封裝芯片考慮芯片本身遠(yuǎn)離 高壓電解電容的位置，具體是平行過板方向的距離大于 波峰焊錫爐錫面的距離，同時(shí)確保與芯片引腳連通的電 容引腳先到達(dá)錫面。

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本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2020年第03期第66頁，歡迎您寫論文時(shí)引用，并注明出處。