科銳推出新型650V MOSFET,提供業(yè)界領(lǐng)先效率,助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新
作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202004/411681.htmWolfspeed高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Cengiz Balkas表示:“科銳引領(lǐng)從硅向碳化硅的全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。我們的新型650V MOSFET系列邁進(jìn)了一步,為包括工業(yè)應(yīng)用在內(nèi)的更多應(yīng)用領(lǐng)域提供高功率解決方案。650V MOSFET所提供的優(yōu)異功率效率,助力現(xiàn)今最大的技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)開發(fā)新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能方案等,幫助重塑我們的云技術(shù)和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施?!?/p>
新型15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件,采用科銳業(yè)界領(lǐng)先的第3代C3M MOSFET技術(shù),比之競(jìng)品碳化硅MOSFET,可最高降低20%開關(guān)損耗,為更高效率和更高功率密度的解決方案提供更低的導(dǎo)通電阻。終端用戶將在各種不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的功率使用效率、降低散熱需求、業(yè)界領(lǐng)先的可靠性,從而實(shí)現(xiàn)更低的總體擁有成本,并從中獲益。
與硅基方案相比較,Wolfspeed新型650V碳化硅MOSFET能夠降低75%開關(guān)損耗和50%導(dǎo)通損耗,從而有望帶來(lái)300%功率密度提升。設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在可以滿足甚至超越業(yè)界極為嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn),這其中包括了針對(duì)服務(wù)器電源的80 Plus? Titanium要求。
新型650V MOSFET系列同樣也適合于電動(dòng)汽車市場(chǎng)的車載充電機(jī)。更高的效率和更快的開關(guān),幫助客戶在設(shè)計(jì)更小尺寸方案時(shí)仍能獲得附加性能。Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET能夠助力車載充電機(jī)實(shí)現(xiàn)雙向充電功能,無(wú)需在系統(tǒng)的尺寸、重量、復(fù)雜度等方面進(jìn)行權(quán)衡妥協(xié)。與此同時(shí),Wolfspeed在車用AEC-Q101認(rèn)證方面的經(jīng)驗(yàn),以及業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的E-系列MOSFET,都為之后車用認(rèn)證650V MOSFET鋪平了道路。
評(píng)論