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	 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電3nm細(xì)節(jié)公布：2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          臺(tái)積電3nm細(xì)節(jié)公布：2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2020-04-21
				來(lái)源：SEMI大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
				
				
				
				
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          近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2．5億／mm2！
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202004/412202.htm
          作為參考，采用臺(tái)積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113．31mm2，晶體管密度103億，平均下來(lái)是0．9億／mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3．6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。
          性能提升上，臺(tái)積電5nm較7nm性能提升15％，能耗提升30％，而3nm較5nm性能提升7％，能耗提升15％。
          此外臺(tái)積電還表示，3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期，并沒(méi)有受到疫情影響，預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，2022年下半年量產(chǎn)。
          工藝上，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。
          但臺(tái)積電老對(duì)手三星則押寶3nm節(jié)點(diǎn)翻身，所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn)，將會(huì)淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            臺(tái)積電
                        晶體管
                        3nm
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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