國產(chǎn)5nm半導體設備已獲得臺積電訂單 5nm以下技術研發(fā)中

除了大家都知道的光刻機,半導體設備生產(chǎn)中還需要各種設備,國內(nèi)的中微半導體設備公司已經(jīng)能夠生產(chǎn)高端刻蝕設備,其5nm刻蝕機已經(jīng)批量生產(chǎn),用于臺積電的5nm生產(chǎn)線中。

中微半導體上周末發(fā)布了2019年財報,全年實現(xiàn)營業(yè)收入19.47億元,同比增長18.77%;實現(xiàn)歸母凈利潤1.89億元,同比增長107.51%。

根據(jù)該公司年報,中微公司開發(fā)的高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65納米到7納米的芯片生產(chǎn)線上。

同時,公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求,已開發(fā)出5納米刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工,并已獲得行業(yè)領先客戶的批量訂單——雖然中微沒有明說,但是這家客戶就是臺積電,也只有他們量產(chǎn)了5nm工藝。

目前公司正在配合客戶需求,開發(fā)新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝,能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。

在3D閃存領域,中微半導體電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層的量產(chǎn),同時根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。

此外,中微公司的電感性等離子刻蝕設備已在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)。

根據(jù)客戶的技術發(fā)展需求,正在進行下一代產(chǎn)品的技術研發(fā),以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求,并進行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設備的研發(fā)。