<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段:升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

          臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段:升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

          作者: 時(shí)間:2021-04-20 來源:快科技 收藏

          做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠,在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手,明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝,接下來則是工藝。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202104/424621.htm

          計(jì)劃未來三年投資1000億美元,其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多,工藝也是前所未有的新工藝,去年稱工藝取得了重大進(jìn)展,進(jìn)度比預(yù)期的要好。

          實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張,此前只是技術(shù)探索階段,尋找到了可行的技術(shù)路徑。

          現(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段,重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測(cè)試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。

          根據(jù)臺(tái)積電的說法,2nm工藝節(jié)點(diǎn)上,他們也會(huì)放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu),此前三星更為激進(jìn),在3nm節(jié)點(diǎn)就會(huì)棄用GAA晶體管,不過這兩家的GAA晶體管結(jié)構(gòu)也不會(huì)一樣,孰優(yōu)孰劣還沒定論。

          在2nm節(jié)點(diǎn),光刻工藝更加重要,EUV光刻是少不了的,但此前的EUV工藝還存在不少問題,臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)也會(huì)重點(diǎn)改進(jìn)EUV工藝,提高光刻中的質(zhì)量及效率。

          至于量產(chǎn)時(shí)間,臺(tái)積電的2nm工廠現(xiàn)在還在起步階段,此前消息稱是2023年試產(chǎn)2nm工藝,2024年量產(chǎn)。




          關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 2nm

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();