芯片競(jìng)賽：三星首發(fā)3nm，IBM推出2nm，臺(tái)積電1nm大突破

上世紀(jì)的40年代，美國(guó)發(fā)起了一項(xiàng)曼哈頓計(jì)劃，這項(xiàng)計(jì)劃給人類帶來(lái)了原子彈，也給人類帶來(lái)了計(jì)算機(jī)。

而在上世紀(jì)50年代，集成電路正式被發(fā)明，從此計(jì)算機(jī)+集成電路，真正帶來(lái)了整個(gè)IT產(chǎn)業(yè)的大發(fā)展，如今全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過(guò)10萬(wàn)億美元。

當(dāng)然，在整個(gè)IT產(chǎn)業(yè)的大發(fā)展之中，集成電路也可以說(shuō)是芯片是整個(gè)IT產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，沒(méi)有芯片，就沒(méi)有IT產(chǎn)業(yè)，而芯片在關(guān)鍵又在于制造。所以我們看到，全球芯片大戰(zhàn)的關(guān)鍵，最終還是落到芯片制造技術(shù)本身。

所以我們看到臺(tái)積電、三星這兩大代工巨頭，這幾年可以說(shuō)是在芯片制程上不斷前進(jìn)，你追我趕，然后把intel徹底的甩到了身后。

3月份的時(shí)候，三星全球首發(fā)了3nm的芯片，這是一顆3nm的 SRAM芯片，容量達(dá)到了256GB，但面積只有56平方毫米，采用了GAAFET晶體管工藝。

三星這顆3nm的芯片推出后，很多人表示，這次三星可能要領(lǐng)先于臺(tái)積電了，因?yàn)槿沁@次確實(shí)在技術(shù)上似乎領(lǐng)先了，畢竟使用GAAFET工藝，而臺(tái)積電之前表示3nm芯片還使用FinFET晶體管工藝。

不過(guò)沒(méi)過(guò)多久，IBM就搞了一個(gè)大新聞，全球首發(fā)了一顆2nm工藝的芯片，與三星的3nm芯片一樣，采用的是GAAFET晶體管技術(shù)。

IBM的這顆芯片，晶體管密度達(dá)到了3.33MTr /mm2，也就是3.3億個(gè)每平方毫米。這個(gè)密度相比于臺(tái)積電、三星公布的3nm技術(shù)，先進(jìn)了一大截。

很多認(rèn)為在這波競(jìng)賽中，似乎臺(tái)積電落后了，畢竟三星3nm芯片首發(fā)了，IBM的2nm芯片也有了，臺(tái)積電還沒(méi)動(dòng)靜啊。

誰(shuí)知道，臺(tái)積電近日也搞出了一個(gè)大消息，表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

臺(tái)積電是與臺(tái)大、美國(guó)麻省理工學(xué)院合作研究，發(fā)現(xiàn)了用二維材料結(jié)合「半金屬鉍（Bi）」能達(dá)極低電阻，接近量子極限。

利用這種技術(shù)，有助實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)，因?yàn)樗軌蚪鉀Q二維材料高電阻及低電流等問(wèn)題。

當(dāng)然，從實(shí)際來(lái)看，除了三星的3nm技術(shù)是基本靠譜，明年可量產(chǎn)的技術(shù)外，像IBM的2nm，還有臺(tái)積電的這個(gè)「半金屬鉍（Bi）」技術(shù)，更多的還是在理論階段，但這無(wú)不表明，芯片戰(zhàn)爭(zhēng)真的無(wú)止境。