ASML出貨超過100臺EUV光刻機(jī) 新制程時代來臨
芯研所消息,全球半導(dǎo)體的缺貨,進(jìn)一步激發(fā)了上游半導(dǎo)體設(shè)備廠商的產(chǎn)能,據(jù)外媒報道截至第二季度,ASML EUV設(shè)備出貨總量達(dá)到102臺,隨著需求量的提高和客戶群的擴(kuò)大,預(yù)計2年內(nèi)累計供應(yīng)量將增加2倍以上,標(biāo)志著EUV時代正式拉開帷幕。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202109/428342.htm據(jù)統(tǒng)計,過去四個季度(2020年第三季度-2021年第二季度),ASML EUV設(shè)備出貨總計40臺,較之前四個季度(2019年第三季度-2020年第二季度)增長了66%。ASML今年的出貨目標(biāo)是40臺左右,下半年將供應(yīng)25臺左右。
ASML擴(kuò)大EUV設(shè)備供應(yīng)響應(yīng)了半導(dǎo)體制造業(yè)實(shí)現(xiàn)超微電路層的需求。盡管每臺設(shè)備的價格達(dá)到1.71億美元,但由于其卓越的工藝成本和省時效果,可以抵消設(shè)備采購的成本。業(yè)內(nèi)人士指出,通過EUV可以降低設(shè)備成本和工藝成本,因此,在微加工領(lǐng)域引進(jìn)EUV設(shè)備的企業(yè)越來越多。
根據(jù)ASML的說法,5-7nm邏輯半導(dǎo)體(以每月45,000顆晶圓為基準(zhǔn))每個EUV層需要一臺EUV設(shè)備,16nm及以下節(jié)點(diǎn)DRAM(以每月100,000顆晶圓為基準(zhǔn))每個EUV層則需要1.5-2臺設(shè)備。三星電子計劃,到今年下半年為止,將14nm DDR5 DRAM的EUV應(yīng)用層數(shù)從1層增加到5層,SK海力士也計劃增加EUV應(yīng)用層數(shù),因此,預(yù)計EUV設(shè)備的需求將進(jìn)一步增加。
除了EUV層的增加,EUV設(shè)備的客戶群也在逐漸擴(kuò)大。繼2018年三星電子首次引進(jìn)7nm制程的EUV設(shè)備后,臺積電和SK海力士也加入了EUV競爭。美國的美光和英特爾也在推進(jìn)EUV設(shè)備的引進(jìn),預(yù)計市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。
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