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          臺(tái)積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上

          作者: 時(shí)間:2022-02-23 來源:ZOL 收藏

          近日,關(guān)于工藝制程有了新消息,據(jù)外媒digitimes最新報(bào)道,半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露,3納米拉升難度飆升,因此多次修正3納米藍(lán)圖。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202202/431420.htm

          實(shí)際上,隨著晶體管數(shù)量的堆積,內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化,工藝制程的良品率確實(shí)很難快速提升,達(dá)成比較好的量產(chǎn)水平。

          臺(tái)積電3納米良率難提升 多版本3nm工藝在路上

          因此,臺(tái)積電或?qū)⒁?guī)劃包括N3、N3E與N3B等多個(gè)不同和制程工藝的技術(shù),以滿足不同廠商的性能需求,正如同去年蘋果在A15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致,即能滿足量產(chǎn)需求,還能平攤制造成本,保持利潤。

          此外,還有消息稱臺(tái)積電將在2023年第一季度開始向蘋果和英特爾等客戶運(yùn)送3納米芯片,第一批采用芯片的蘋果設(shè)備預(yù)計(jì)會(huì)在2023年首次亮相。

          至于3nm到底何時(shí)才能正式亮相,我們還將持續(xù)觀察。



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