三星3納米超車臺(tái)積電？重要數(shù)據(jù)曝光！結(jié)局出乎意料

臺(tái)積電在4月中的法說(shuō)會(huì)曾透露，預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)3納米，2納米制程的量產(chǎn)時(shí)間則落在2025年，沒(méi)想到三星上周公開(kāi)表示，公司將在未來(lái)幾周內(nèi)量產(chǎn)3納米。若此事成真，三星將搶先臺(tái)積電量產(chǎn)3納米，然而三星在制程利率的問(wèn)題仍是外界關(guān)注焦點(diǎn)，先前有外媒披露，三星3納米的良率最高僅2成，迫使部分IC 設(shè)計(jì)大廠選擇轉(zhuǎn)單至臺(tái)積電。
科技網(wǎng)站Tom's Hardware報(bào)導(dǎo)，三星上周發(fā)出一份公開(kāi)聲明，內(nèi)容提到公司將透過(guò)世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)3納米GAA技術(shù)來(lái)加強(qiáng)技術(shù)在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的地位，有望在本季，即未來(lái)幾周內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)。
另一方面，臺(tái)積電4月中法說(shuō)會(huì)曾提到，3納米制程預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)，2納米按照進(jìn)度開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，于2025年量產(chǎn)。臺(tái)積電3納米使用的是FinFET架構(gòu)，與三星使用的GAA架構(gòu)不同，臺(tái)積電要是在2納米才轉(zhuǎn)向使用GAA架構(gòu)。
若三星真的在本季量產(chǎn)3納米，代表他們將超車臺(tái)積電，但產(chǎn)品的良率仍是關(guān)注焦點(diǎn)，先前有外媒披露，三星3納米由于專利IP數(shù)量的不足，導(dǎo)致良率僅10至20%左右，這使得客戶出現(xiàn)擔(dān)憂，且三星4納米的良率雖然有較高的35%良率，但遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及臺(tái)積電的7成，使得高通選擇轉(zhuǎn)單臺(tái)積電。