EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場效應(yīng)晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN^?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ 的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。 

EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器和人工智能的48 V~54 V輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器。較低的柵極電荷、QGD和零反向恢復(fù)損耗使其能夠在10.2 mm2微小尺寸內(nèi)，在1 MHz及以上的高頻條件下工作，實現(xiàn)高效和高功率密度。 

EPC2071也是BLDC電機驅(qū)動的理想器件，包括電動自行車、電動摩托車、機器人、無人機和電動工具。EPC2071的尺寸是硅MOSFET的1/3，具有相同的導(dǎo)通電阻，QG是MOSFET的1/4，死區(qū)時間可以從500 ns縮減至20 ns，從而優(yōu)化電機和逆變器的效率且減少噪音。

EPC2071的設(shè)計與EPC第4代產(chǎn)品系列兼容，包括EPC2021、EPC2022和EPC2206。第五代產(chǎn)品在面積×導(dǎo)通電阻方面的改進使EPC2071具有與上一代產(chǎn)品相同的導(dǎo)通電阻，但尺寸卻縮小了26%。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow說："EPC2071是40 V~60 V/12 V~5V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器初級側(cè)的理想開關(guān)器件。這個100 V的器件與上一代100 V的氮化鎵場效應(yīng)晶體管相比，性能更高且成本更低，讓設(shè)計人員以低成本實現(xiàn)更高的效率和更高的功率密度。這個器件也適用于電信、服務(wù)器電源供電和太陽能應(yīng)用。此外，EPC2071比等效硅器件的價格更低，而且可以立即發(fā)貨！"

EPC9174參考設(shè)計板是一個1.2kW、48 V輸入、12V輸出的LLC轉(zhuǎn)換器。它采用EPC2071作為初級側(cè)全橋器件，在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸內(nèi)，實現(xiàn)1 MHz的開關(guān)頻率和1.2 kW的功率（功率密度為1472 W/in3）。550 W時的峰值效率為97.3%，12 V時的滿載效率為96.3%，可提供100 A輸出功率。 

EPC2071用卷帶包裝，以1000片為單位批量購買，每片價格為3.81美元。EPC9174開發(fā)板的單價為498美元，可從Digi-Key立即發(fā)貨。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計人員可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們會推薦合適的替代方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是基于增強型氮化鎵（eGaN^?）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。