西數(shù)將量產(chǎn)162層閃存:一塊晶圓容量100TB
西部數(shù)據(jù)宣布,與鎧俠聯(lián)合開(kāi)發(fā)的BiCS NAND閃存將進(jìn)入第六代,堆疊層數(shù)達(dá)到162層,今年即投入量產(chǎn)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202205/434148.htm目前的3D NAND閃存已經(jīng)紛紛堆到176層,美光日前更是宣布全球首個(gè)達(dá)到232層。
但是西數(shù)指出, 自家的162層閃存單元尺寸更小,只有68平方毫米 ,小于競(jìng)品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存儲(chǔ)密度更高,可以提供和競(jìng)品相同的單芯片容量。
西數(shù)表示, BiCS6 162層堆疊下,一塊晶圓就可以做到100TB容量,而目前只有大約70TB。
性能方面,西數(shù)宣稱(chēng)自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元,性能可達(dá) 60MB/s ,比對(duì)手快了一半。
西數(shù)還預(yù)告了下下一代BiCS+閃存, 堆疊超過(guò)200層,預(yù)計(jì)可帶來(lái)60%的傳輸速度提升、15%的編程帶寬提升、55%的晶圓容量提升 ,然后繼續(xù)一路堆疊, 2032年左右將超過(guò)500層!
另外,西數(shù)在PPT上海列出了PLC閃存,但沒(méi)有任何細(xì)節(jié)消息。
評(píng)論