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          ASML:現(xiàn)有技術(shù)能實(shí)現(xiàn)1nm工藝

          作者: 時(shí)間:2022-05-18 來(lái)源:IT之家 收藏

            5月17日消息,為了強(qiáng)調(diào)光在推進(jìn)科學(xué)進(jìn)步過(guò)程中的重要作用,聯(lián)合國(guó)教科文組織將每年的5月16日定為“國(guó)際光日”。5月13日,在一篇公眾號(hào)文章中稱,現(xiàn)有技術(shù)能實(shí)現(xiàn)1nm工藝,摩爾定律可繼續(xù)生效十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202205/434168.htm

            稱,在半導(dǎo)體領(lǐng)域,摩爾定律——這一誕生于1965年的前瞻推斷,就扮演著如同光一樣的角色,指引芯片制造的每一次創(chuàng)新與突破。在過(guò)去的50多年里,摩爾定律不斷演進(jìn)。摩爾關(guān)于以最小成本制造復(fù)雜芯片的最初預(yù)測(cè),也在演進(jìn)過(guò)程中被轉(zhuǎn)述成各種各樣的表述,現(xiàn)在這個(gè)定律最常被表述為半導(dǎo)體芯片可容納的晶體管數(shù)量呈倍數(shù)增長(zhǎng)。1975年,摩爾修正了自己的預(yù)測(cè):晶體管數(shù)量翻倍的時(shí)間從最初的一年上升到兩年。

            摩爾認(rèn)為,增加芯片面積、縮小元件尺寸以及優(yōu)化器件電路設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)晶體管數(shù)量翻倍的三個(gè)重要因素。

            稱,在過(guò)去的15年里,很多創(chuàng)新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個(gè)行業(yè)的發(fā)展路線來(lái)看,它們將在未來(lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)讓摩爾定律繼續(xù)保持這種勢(shì)頭。在元件方面,目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)⑿酒闹瞥掏七M(jìn)至至少1納米節(jié)點(diǎn),其中包括gate-all-around FETs,nanosheet FETs,forksheet FETs,以及complementary FETs等諸多前瞻技術(shù)。此外,光刻系統(tǒng)分辨率的改進(jìn)(預(yù)計(jì)每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對(duì)精度的衡量也將進(jìn)一步推動(dòng)芯片尺寸縮小的實(shí)現(xiàn)。

            ASML稱,只要我們還有想法,摩爾定律就會(huì)繼續(xù)生效。



          關(guān)鍵詞: ASML 芯片工藝

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