國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)

頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。

2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。

為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

長江存儲只用了3年的時間，就實現(xiàn)了從32層到128層的跨越，完成同領(lǐng)域企業(yè)6年走過的路。

4月份，長江存儲推出了一款高速UFS 3.1閃存芯片，性能方面與當下最優(yōu)秀的各家大廠相比，完全不落下風。

例如，行業(yè)里最好的三星UFS 3.1閃存芯片，其512GB版讀取速度2100MB/s，寫入速度1200MB/s。而UC023的512GB版讀取速度2000MB/s，寫入速度1250MB/s，可以說不分伯仲，2款芯片都處于行業(yè)里最頂尖的水平。

美光在去年發(fā)布了176層的UFS 3.1閃存，但其讀取速度只有1500MB/s，而寫入速度卻未進行公布，估計是因為性能上占不到優(yōu)勢。所以說，長江存儲的閃存芯片，已經(jīng)非常優(yōu)秀了。

另外，根據(jù)業(yè)內(nèi)傳出消息稱，長江存儲也打入蘋果供應(yīng)鏈，為iPhone SE 3供應(yīng)閃存芯片，這也是最好的證明。

當然，從時間維度上來看，我們還處于落后，例如三星是2020年3月推出的UFS 3.1閃存芯片，但是我們起步晚，目前來說已經(jīng)取得了飛速的進步。

當然，從行業(yè)里來看，其他廠商也在加大研發(fā)力度，例如，近日美光發(fā)布了業(yè)界首個232層3D閃存芯片，預計年底或者明年開始量產(chǎn)。

三星也發(fā)布了224層3D閃存芯片，同樣預計年底量產(chǎn)。

另外三星還宣布，已經(jīng)研發(fā)出UFS 4.0閃存芯片，每通道帶寬速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的兩倍，基于三星第七代V-NAND閃存和自研主控，可以實現(xiàn)高達4200MB/s的順序讀取速度和高達2800MB/s的寫入速度，為當今性能最高的閃存芯片。

所以如果從相似規(guī)格或者相近性能角度來說，我們的國產(chǎn)閃存芯片還落后世界頂尖水平1-2年時間。但我相信，用不了多久，一定可以追上這個差距。

除了在技術(shù)方面，國產(chǎn)閃存的產(chǎn)能上也略顯不足。目前，長江存儲已經(jīng)將月產(chǎn)量擴大至10萬片晶圓，并且隨著武漢的工廠二期項目的建設(shè)，預計到2023年底，長江存儲月產(chǎn)量可能超過20萬片，全球市場份額也有望達到7-8%。但是與行業(yè)大廠相比，還是有很大的差距。

總之，192層3D NAND閃存芯片，將是長江存儲發(fā)展過程中的一個里程碑，同時它也意味著，國產(chǎn)存儲芯片在追趕美國、韓國頂尖企業(yè)的道路上，又前進了一大步。并且在這個領(lǐng)域，我們已經(jīng)完全不用懼怕國外的打壓和封鎖，不會存在卡脖子的難題。