功率半導體組件的主流爭霸戰(zhàn)

功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現(xiàn)，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。

MOSFET與IGBT雙主流各有痛點
高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣閘雙極晶體管）的應用范圍最為重要，兩者各有優(yōu)勢及不足。

MOSFET扮演電源電子控制的角色，依導電特性與通道差異，又可分為NMOS（N-type MOS）、PMOS（P-type MOS）、CMOS（Complementary MOS），在大功率半導體領域中，各種結構的MOSFET發(fā)揮不同作用。IGBT組件為復合式構造，輸入端為MOSFET構造，輸出端為BIPOLAR構造，具備低飽和電壓、快速切換等特性，但切換速度遜于MOSFET。

傳統(tǒng)以硅（Si）材料為基底的IGBT主要特性為耐高壓、高電流，多應用于大功率、大電流的電力設備或電力基礎設施，如鐵路電網(wǎng)、風力發(fā)電機等，缺點是比較無法縮裝；MOSFET的特性為驅動電流小，多應用于變頻導向的3C設備或消費性3C產(chǎn)品，如手機充電器、小家電產(chǎn)品的變壓器等，缺點是無法承受過大的電壓、電流。

在技術發(fā)展及應用上，MOSFET與IGBT各有痛點待克服。硅（Si）材料因物理性能限制，在高電壓時，耐受性差、轉換效率不佳，而且有散熱問題，無法完全應付推陳出新的電子電力產(chǎn)品需求，加上全球暖化日益嚴重，各國能源政策積極朝凈零碳排（Net Zero）目標前進，大家關注的重點是如何「更節(jié)能、更省能」，此外，因應時代需求，人們追求短、小、輕、薄及好攜帶，如何讓產(chǎn)品縮裝也是一大課題。

第三類化合物半導體提供更多選擇
第三類化合物半導體-碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）兩種材料興起，有助解決傳統(tǒng)硅基組件遭遇的困境。第三類化合物半導體具備耐高溫、耐大電壓、快速作動等特性，可以廣泛應用于高功率、高頻和高溫電子電力系統(tǒng)，如電動車及電動車充電設備、大型風力發(fā)電機、太陽能板逆變器、數(shù)據(jù)中心、手機快充、太空衛(wèi)星、行動基地臺等領域。

碳化硅（SiC）最大的優(yōu)勢在于高溫與高崩潰電壓耐受力；氮化鎵（GaN）的穩(wěn)定性高，熔點高達1700度，除了穩(wěn)定性、耐高溫、耐高壓等優(yōu)勢，同時擁有良好的導電性與導熱性，多應用于變壓器和充電器等領域，如需要較大電壓的筆電、平板，以及需要較小電壓的手機和手表充電產(chǎn)品，能有效縮短充電時間。氮化鎵（GaN）組件的切換速度是硅基組件的10倍以上，相較于Si，更適合高頻率、高效率的電子產(chǎn)品，包含5G產(chǎn)品。

 

圖一 : 小米生產(chǎn)的GaN 65W快充充電器。（source：小米）

隨著2050年凈零碳排（Net Zero）目標逼近，各國在交通政策與產(chǎn)業(yè)推動上都朝燃油車電氣化的方向邁進，帶動整體電動車產(chǎn)業(yè)。碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）能同時應用于汽車產(chǎn)業(yè)，尤其碳化硅（SiC）在車載領域及可靠性上更具優(yōu)勢，在電動車的系統(tǒng)應用方面主要包含逆變器、車載充電器（OBC）及直流變壓器等。相較于傳統(tǒng)硅基模塊效能，碳化硅（SiC）可減少約50%的電能轉換損耗，降低約20%的電源轉換系統(tǒng)成本，提升電動車約4%的續(xù)航力。

龍頭大廠帶動第三代半導體產(chǎn)能
電動車的充電設備及充電基礎設施都需要更高效能的組件。林若蓁指出，碳化硅（SiC）組件市場主要由汽車產(chǎn)業(yè)主導，比方特斯拉（Tesla）電動車款Model 3率先應用意法半導體生產(chǎn)的SiC MOSFET，帶動多家電動車廠商導入SiC材料。Model 3驅動逆變器（Traction Inverter）部分舍棄傳統(tǒng)絕緣柵雙極晶體管（IGBT），率先引入碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效晶體管（MOSFET），開啟全球第三類半導體擴產(chǎn)潮。至于氮化鎵（GaN）功率組件市場則由消費性產(chǎn)品（如手機快充）、電信/通訊（如數(shù)據(jù)中心、太空衛(wèi)星通訊）及汽車產(chǎn)業(yè)（如電動車內較小電壓的DC-DC converter）所帶動。

Yole Developpement研究機構報告指出，2020-2026年采用碳化硅（SiC）作為功率半導體材料的市場規(guī)模成長至45億美元，氮化鎵（GaN）功率半導體市場規(guī)模達11億美元。預估2027年碳化硅（SiC）功率組件市場規(guī)?？蛇_63億美元，氮化鎵（GaN）功率組件市場可達20億美元；2021-2027年，整體氮化鎵（GaN）功率組件市場的復合年成長率（CAGR）為59%，碳化硅（SiC）功率組件市場的復合年成長率（CAGR）為34%。除了消費性電源大量采用氮化鎵（GaN）功率組件，氮化鎵（GaN）功率組件導入數(shù)據(jù)中心、電信設備電源的速度也愈來愈快。


 
圖二 : 碳化硅功率半導體材料的市場規(guī)模預估。（source: Yole Developpemen）



 
圖三 : 氮化鎵功率半導體材料的市場規(guī)模預估。（source: Yole Developpemen）

知名業(yè)者如氮化鎵（Gan）功率IC龍頭納微半導體（Navitas）、美商Transphorm積極與半導體代工廠結盟，搶占市場，至于碳化硅（SiC）以IDM為主，重量級業(yè)者包含英飛凌（Infineon）、意法半導體（STMicroelectronics）、羅姆半導體（Rohm）等，其中，意法半導體同時跨足碳化硅（SiC）、氮化鎵（Gan）領域；英飛凌、安森美半導體（onsemi）則擁有Si、SiC、GaN三種功率技術。

8吋碳化硅晶圓成為兵家必爭之地
看好第三代半導體未來發(fā)展，各大廠布局動作頻頻，如英飛凌今年2月宣布，投資20億歐元提升第三代半導體的制造能力；安森美半導體宣布，2024年起碳化硅年銷售額將達10億美元，同時計劃2025年前將碳化硅前道工藝?能擴大到目前的10倍以上，據(jù)傳安森美與特斯拉已達成碳化硅（SiC）長期協(xié)議。

氮化鎵功率半導體全球領導者GaN Systems指出，全氮化鎵車輛有助改善全球暖化問題，提早達成凈零碳排目標。電動車的逆變器可將電池中的直流電轉換為交流電，使用GaN晶體管可獲得更高的能源效率，行駛里程延長5%以上。有鑒于GaN Systems產(chǎn)品應用在消費電子、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電源等領域日益廣泛，今年2月GaN Systems宣布，擴大3倍營運團隊規(guī)模。



 
圖四 : 全氮化鎵車輛實現(xiàn)凈零碳排（Net Zero）目標。（Source：GaN Systems）

市場預估，未來8吋晶圓及基板可能成為兵家必爭之地。除了沃孚半導體、羅姆半導體、Ⅱ-Ⅵ已推出8吋碳化硅基板，英飛凌、意法半導體、安森美等大廠也積極布局8吋碳化硅晶圓產(chǎn)線。



 
圖五 : 未來8吋晶圓及基板可能成為兵家必爭之地。（Source：Wolfspeed）

大規(guī)模商業(yè)化之前先降低成本
不過，第三類化合物半導體在技術發(fā)展及應用上并非全無缺點，「第三類半導體因技術發(fā)展限制，成本尚未達到甜蜜點，而且各半導體有適合的應用范疇，無法大量取代硅基半導體市場?！?br/>
林若蓁進一步說明，碳化硅成本高居不下，主因在于基板和磊晶的制程困難，直到現(xiàn)在，碳化硅晶圓的成本仍占碳化硅組件的6成左右，需要發(fā)展更先進的技術與制程，才能因應日漸提升的碳化硅產(chǎn)能。氮化鎵目前以發(fā)展水平式組件為主，但水平式GaN磊晶于硅基板上，做到大尺寸晶圓容易裂掉，而晶圓尺寸無法做大也意味著成本難以降低。

目前看來，第三類化合物半導體似乎較硅基半導體更符合新興產(chǎn)業(yè)與電子產(chǎn)品需求，如電動車產(chǎn)業(yè)為了追求更高效能、更快的充電時間、更長的里程數(shù)，以及產(chǎn)品體積及重量更為輕巧，愈來愈多車廠導入SiC材料，并以SiC MOSFET取代傳統(tǒng)硅基的IGBT。至于消費性3C產(chǎn)品，可以看到GaN MOSFET逐漸取代Si MOSFET，這些變化都是為了使電子產(chǎn)品更節(jié)能，達凈零碳排目的。

IGBT、MOSFET、SiC、GaN的未來
隨著5G、高階手機等消費性電子產(chǎn)品及電動車、綠能蓬勃發(fā)展，電源組件的高功率與高壓等需求勢必愈來愈重要，未來，IGBT、MOSFET、SiC、GaN組件的發(fā)展可能出現(xiàn)何種變量？

對此，林若蓁透過Navitas發(fā)布的產(chǎn)品信息進一步說明，相較于傳統(tǒng)Si組件，一般電廠于電網(wǎng)到發(fā)電站（如火力、風力、太陽能等發(fā)電）間，若全數(shù)改用GaN功率組件作為能源轉換器（逆變器與轉換器），可有效降低4-10倍的碳足跡，若沿用至2050年，每年將省下26億噸的CO2排放量。如今，多數(shù)電源組件都朝「節(jié)能、縮裝」的目標前進，未來第三類半導體的出?？?，在碳化硅的部分主要是由電動車產(chǎn)業(yè)帶動，以及再生能源與智慧電網(wǎng)等基礎電力設備；氮化鎵功率組件可以應用于消費性產(chǎn)品、太空衛(wèi)星通訊或各國數(shù)據(jù)中心。

各國和地區(qū)都希望掌握這些戰(zhàn)略物資，但是，晶圓的制作成本占比高，如能將晶圓尺寸做大，達到大規(guī)模商業(yè)化，必能使碳化硅及氮化鎵的市場更為擴大。2022年4月，碳化硅晶圓龍頭廠商沃孚半導體（Wolfspeed）已于美國紐約成立全球首座200mm SiC廠，也是最大的8吋碳化硅（SiC）晶圓廠，以擴大制造產(chǎn)能。未來，隨著第三類半導體材料可應用的產(chǎn)品比例增加，可以減少更多能源浪費，落實節(jié)能減碳。

林若蓁認為，各類型的半導體有其適合應用之處，未來不論是硅基的IGBT、MOSFET或是以SiC為基底的IGBT、MOSFET，都會根據(jù)所需效能及材料特性，找到適合的應用場域。以電動車來說，SiC逆變器（Inverter）可耐高壓、大電流，是電動車電池動力提升的關鍵，目前主流為800V的碳化硅組件電動車，電動車電壓越高，越能節(jié)省充電時間，提高電動車的續(xù)航力；1200V或許未來有機會應用于電動車，而1700V及3300V的碳化硅組件可應用于風力發(fā)電或電網(wǎng)傳輸上。氮化鎵使用于電子設備，可以達到更佳的變頻效果，汽車的DC-DC converter或是雷達偵測端等設備運作需要電流快速轉換，這部分就適合采用氮化鎵材料作為主要應用。

押寶次世代功率半導體
TrendForce研究預估，2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模達10.7億美元，2026年將攀升至39.4億美元。工研院產(chǎn)科國際所（IEK）調查報告指出，全球化合物半導體市值預計2025年將達1,780億美元，化合物半導體市場規(guī)模雖不如第一類硅基半導體，但年復合年成長率高于第一類半導體。隨著智能型手機3D感測、電動車及5G需求爆發(fā)，電動車半導體功率組件需要更高的轉換效率，承受更高的電壓，第三類化合物半導體（如GaN、SiC）相較于第二類化合物半導體（如GaAs、InP）、第一類硅基半導體更為適合。

整體而言，次世代功率半導體（如SiC、GaN、Ga2O3等）的性能優(yōu)于硅（Si），尤其是SiC功率半導體，受惠于資通訊、能源、汽車/電子設備需求強勁，身價水漲船高。日本富士經(jīng)濟特別針對電動車與可再生能源相關的功率半導體全球市場進行調查，由于2030年碳中和及2050年凈零碳排目標逼近，加上電動車與可再生能源的普及率明顯提升，預估2030年市場規(guī)?？蛇_5兆3,587億日圓，推升次世代功率半導體需求，規(guī)?？赏?兆日圓。若以每臺電動車需使用250個功率半導體組件計算，化合物半導體的市場規(guī)模成長性令人期待。