光電芯片制造重大突破！我國科學(xué)家首獲納米級(jí)光雕刻三維結(jié)構(gòu)

　　從技術(shù)競爭的角度來看，光芯片被認(rèn)為是與國外研究進(jìn)展差距最小的芯片技術(shù)，被寄予了中國“換道超車”的希望。

　　據(jù)媒體報(bào)道，9月14日晚，我國科學(xué)家在國際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《自然》發(fā)表了最新研究，首次得到納米級(jí)光雕刻三維結(jié)構(gòu)，在下一代光電芯片制造領(lǐng)域的獲得重大突破。

　　這一重大發(fā)明，未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調(diào)制器、聲學(xué)濾波器、非易失鐵電存儲(chǔ)器等關(guān)鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。

　　據(jù)介紹，南京大學(xué)張勇、肖敏、祝世寧領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術(shù)，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內(nèi)部，通過控制激光移動(dòng)的方向，在晶體內(nèi)部形成有效電場，實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的直寫和擦除。

　　這一新技術(shù)突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結(jié)構(gòu)的尺寸，從傳統(tǒng)的1微米量級(jí)（相當(dāng)于頭發(fā)絲的五十分之一），首次縮小到納米級(jí)，達(dá)到30納米，大大提高了加工精度。