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          世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

          作者: 時間:2022-10-14 來源:大大通 收藏

          現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202210/439112.htm

          器件在某些方面相似,可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。 是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的效能和高功率密度來實現(xiàn)電源轉換。其效能高于當今的硅基方案,輕松超過服務器和云端資料中心最嚴格的80+規(guī)范或 USB PD 外部適配器的歐盟行為準則 Tier 2標準。

          由于GaN元件在高頻時,在導通與切換上仍有較佳的效能、可靠度高,也能促使周邊元件尺寸進一步縮小,并提升功率密度; 因此在現(xiàn)今電源供應器的體積被要求要越來越輕巧,且效率卻不能因而降低的應用中,如電競電腦、電信通訊設備、資料中心服務器…等需要更好電源轉換效率的電源供應器應用,已有GaN氮化鎵功率元件開始被導入。

          ?場景應用圖

          ?展示板照片

          ?方案方塊圖

          ?標準線路圖

          ?核心技術優(yōu)勢

          1. 兩個輸出驅動器擁有獨立 UVLO 保護 2. 輸出電壓為 6.5V 至 30V,具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 閾值 3. 4A峰值電流源,8A峰值電流吸收 4. 150 V/ns dV/dt 抗擾度 5. 36 ns 典型傳遞延遲 6. 8 ns 最大延遲匹配 7. 可編程輸入邏輯 8. 通過 ANB 的單或雙輸入模式 9. 可編程死區(qū)時間 10. Enable功能 11. 隔離與安全 a. 從輸入到每個輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200 V峰值差分電壓 b. 1200 V工作電壓(根據(jù)VDE0884?11要求)

          ?方案規(guī)格

          1. 雙低側、雙高側或半橋驅動器 2. 輸出電源電壓為 6.5V 至 30V,具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 閾值 3. 4A峰值電流源,8A峰值電流吸收



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