摩爾定律不死 臺積電已在謀劃1nm工藝:下代EUV光刻機(jī)是關(guān)鍵
在先進(jìn)工藝上,臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝,2025年則是量產(chǎn)2nm工藝,這一代會開始使用GAA晶體管,放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202210/439797.htm再往后呢?2nm之后是1.4nm工藝,Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺,其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝,臺積電沒說時(shí)間點(diǎn),預(yù)計(jì)也是在2027年左右。
1.4nm之后就是1nm工藝了,這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限,是無法實(shí)現(xiàn)的,但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中。
臺積電已經(jīng)啟動了先導(dǎo)計(jì)劃,傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍?zhí)秷@區(qū),這意味著臺積電已經(jīng)開始為1nm做規(guī)劃了,畢竟工廠需要提前一兩年建設(shè)。
不過真正量產(chǎn)1nm還需要很長時(shí)間,其中關(guān)鍵的設(shè)備就是下一代EUV光刻機(jī),要升級下一代的高NA(數(shù)值孔徑)標(biāo)準(zhǔn),從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味著更分辨率更高,是3nm之后的工藝必備的條件。
按照ASML的計(jì)劃,下一代EUV光刻機(jī)的試驗(yàn)型號最快明年就開始出貨,2025年后達(dá)到正式量產(chǎn)能力,售價(jià)將達(dá)到4億美元以上。
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