芯片巨頭美光:成功繞過了EUV光刻技術(shù)
本周美光宣布,采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202211/440032.htm1β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。
一個值得關(guān)注的點(diǎn)是,美光稱,1β繞過了EUV(極紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。
這意味著相較于三星、SK海力士,美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟,DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力,各公司目前通過不斷縮小電路面積來進(jìn)行競爭。
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