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          美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2022-11-06
				來源：泡泡網(wǎng)
				
				
				
				
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          本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202211/440085.htm
          一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路面積來進(jìn)行競爭。
          同時(shí)，美光的產(chǎn)品最終在成本上或許也會更具比較優(yōu)勢。據(jù)悉，美光已經(jīng)在LPDDR5X移動內(nèi)存上率先應(yīng)用1β工藝，還使用了第二代HKMG(高K金屬柵極)工藝，最 高速率8.5Gbps(等效于8500MHz)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        EUV
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